Aangepaste GaN-op-SiC epitaxiale wafers (100 mm, 150 mm) - Meerdere SiC-substraatopties (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
Functies
●Epitaxiale laagdikte: Aanpasbaar vanaf1,0 µmnaar3,5 µm, geoptimaliseerd voor hoge vermogens- en frequentieprestaties.
●SiC-substraatopties: Verkrijgbaar met verschillende SiC-substraten, waaronder:
- 4H-N: Hoogwaardig stikstofgedopeerd 4H-SiC voor hoogfrequente en hoogvermogentoepassingen.
- HPSI: Hoogzuivere, semi-isolerende SiC voor toepassingen waarbij elektrische isolatie vereist is.
- 4H/6H-P: Gemengde 4H en 6H-SiC voor een balans tussen hoge efficiëntie en betrouwbaarheid.
●Wafergroottes: Beschikbaar in100 mmEn150 mmdiameters voor veelzijdigheid bij het schalen en integreren van apparaten.
●Hoge doorslagspanning:GaN op SiC-technologie levert een hoge doorslagspanning, waardoor robuuste prestaties mogelijk zijn in toepassingen met hoog vermogen.
●Hoge thermische geleidbaarheid: De inherente thermische geleidbaarheid van SiC (ongeveer 490 W/m·K) zorgt voor een uitstekende warmteafvoer bij energie-intensieve toepassingen.
Technische specificaties
| Parameter | Waarde |
| Waferdiameter | 100 mm, 150 mm |
| Epitaxiale laagdikte | 1,0 µm – 3,5 µm (aanpasbaar) |
| SiC-substraattypen | 4H-N, HPSI, 4H/6H-P |
| SiC thermische geleidbaarheid | 490 W/m·K |
| SiC-resistiviteit | 4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Semi-isolerend,4H/6H-P: Gemengd 4H/6H |
| GaN-laagdikte | 1,0 µm – 2,0 µm |
| GaN-dragerconcentratie | 10^18 cm^-3 tot 10^19 cm^-3 (aanpasbaar) |
| Waferoppervlaktekwaliteit | RMS-ruwheid: < 1 nm |
| Dislocatiedichtheid | < 1 x 10^6 cm^-2 |
| Waferboog | < 50 µm |
| Wafervlakheid | < 5 µm |
| Maximale bedrijfstemperatuur | 400°C (typisch voor GaN-op-SiC-apparaten) |
Toepassingen
●Vermogenselektronica:GaN-op-SiC-wafers bieden een hoge efficiëntie en warmteafvoer, waardoor ze ideaal zijn voor vermogensversterkers, vermogensomzetters en stroomomvormercircuits die worden gebruikt in elektrische voertuigen, systemen voor hernieuwbare energie en industriële machines.
●RF-vermogensversterkers:De combinatie van GaN en SiC is perfect voor hoogfrequente, krachtige RF-toepassingen zoals telecommunicatie, satellietcommunicatie en radarsystemen.
●Lucht- en ruimtevaart en defensie:Deze wafers zijn geschikt voor toepassingen in de lucht- en ruimtevaart en defensie, waarbij hoogwaardige elektronica en communicatiesystemen nodig zijn die onder zware omstandigheden kunnen functioneren.
●Automobieltoepassingen:Ideaal voor hoogwaardige energiesystemen in elektrische voertuigen (EV's), hybride voertuigen (HEV's) en laadstations, omdat dit een efficiënte omzetting en regeling van vermogen mogelijk maakt.
●Militaire en radarsystemen:GaN-on-SiC-wafers worden in radarsystemen gebruikt vanwege hun hoge efficiëntie, vermogensverwerking en thermische prestaties in veeleisende omgevingen.
●Toepassingen in de magnetron en millimetergolf:Voor communicatiesystemen van de volgende generatie, waaronder 5G, biedt GaN-on-SiC optimale prestaties in hoogvermogen-microgolven en millimetergolven.
Vragen en antwoorden
Vraag 1: Wat zijn de voordelen van het gebruik van SiC als substraat voor GaN?
A1:Siliciumcarbide (SiC) biedt superieure thermische geleidbaarheid, een hoge doorslagspanning en mechanische sterkte in vergelijking met traditionele substraten zoals silicium. Dit maakt GaN-op-SiC-wafers ideaal voor toepassingen met hoog vermogen, hoge frequenties en hoge temperaturen. Het SiC-substraat helpt de warmte die door GaN-componenten wordt gegenereerd af te voeren, wat de betrouwbaarheid en prestaties verbetert.
V2: Kan de dikte van de epitaxiale laag worden aangepast voor specifieke toepassingen?
A2:Ja, de dikte van de epitaxiale laag kan binnen een bereik van1,0 µm tot 3,5 µm, afhankelijk van de vermogens- en frequentievereisten van uw toepassing. We kunnen de dikte van de GaN-laag aanpassen om de prestaties te optimaliseren voor specifieke apparaten, zoals vermogensversterkers, RF-systemen of hoogfrequente circuits.
Vraag 3: Wat is het verschil tussen 4H-N-, HPSI- en 4H/6H-P SiC-substraten?
A3:
- 4H-N:Stikstofgedoteerd 4H-SiC wordt veelal gebruikt voor hoogfrequente toepassingen waarbij hoge elektronische prestaties vereist zijn.
- HPSI:Semi-isolerend SiC met een hoge zuiverheidsgraad biedt elektrische isolatie en is daarom ideaal voor toepassingen waarbij minimale elektrische geleiding vereist is.
- 4H/6H-P: Een mix van 4H en 6H-SiC die zorgt voor een evenwichtige prestatie en een combinatie biedt van hoge efficiëntie en robuustheid, geschikt voor diverse toepassingen in vermogenselektronica.
V4: Zijn deze GaN-op-SiC-wafers geschikt voor toepassingen met een hoog vermogen, zoals elektrische voertuigen en hernieuwbare energie?
A4:Ja, GaN-op-SiC-wafers zijn zeer geschikt voor toepassingen met een hoog vermogen, zoals elektrische voertuigen, hernieuwbare energie en industriële systemen. De hoge doorslagspanning, hoge thermische geleidbaarheid en het hoge vermogensverwerkingsvermogen van GaN-op-SiC-componenten stellen ze in staat om effectief te presteren in veeleisende stroomconversie- en regelcircuits.
V5: Wat is de typische dislocatiedichtheid voor deze wafers?
A5:De dislocatiedichtheid van deze GaN-op-SiC-wafers is doorgaans< 1 x 10^6 cm^-2, wat zorgt voor een hoogwaardige epitaxiale groei, waardoor defecten tot een minimum worden beperkt en de prestaties en betrouwbaarheid van het apparaat worden verbeterd.
V6: Kan ik een specifieke wafergrootte of SiC-substraattype aanvragen?
A6:Ja, wij bieden aangepaste waferformaten (100 mm en 150 mm) en SiC-substraattypen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) aan om te voldoen aan de specifieke behoeften van uw toepassing. Neem contact met ons op voor meer maatwerkopties en om uw wensen te bespreken.
V7: Hoe presteren GaN-op-SiC-wafers in extreme omgevingen?
A7:GaN-op-SiC-wafers zijn ideaal voor extreme omgevingen dankzij hun hoge thermische stabiliteit, hoge belastbaarheid en uitstekende warmteafvoer. Deze wafers presteren uitstekend in hoge temperaturen, hoge vermogens en hoge frequenties, die veel voorkomen in toepassingen in de lucht- en ruimtevaart, defensie en industrie.
Conclusie
Onze op maat gemaakte GaN-op-SiC epitaxiale wafers combineren de geavanceerde eigenschappen van GaN en SiC voor superieure prestaties in toepassingen met hoog vermogen en hoge frequenties. Met diverse SiC-substraatopties en aanpasbare epitaxiale lagen zijn deze wafers ideaal voor industrieën die hoge efficiëntie, thermisch beheer en betrouwbaarheid vereisen. Of het nu gaat om vermogenselektronica, RF-systemen of defensietoepassingen, onze GaN-op-SiC-wafers bieden de prestaties en flexibiliteit die u nodig hebt.
Gedetailleerd diagram
