Op maat gemaakte GaN-op-SiC epitaxiale wafers (100 mm, 150 mm) – Meerdere SiC-substraatopties (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Korte beschrijving:

Onze op maat gemaakte GaN-op-SiC epitaxiale wafers bieden superieure prestaties voor toepassingen met hoog vermogen en hoge frequentie door de uitzonderlijke eigenschappen van galliumnitride (GaN) te combineren met de robuuste thermische geleidbaarheid en mechanische sterkte van SiC.Siliciumcarbide (SiC)Deze wafers zijn verkrijgbaar in formaten van 100 mm en 150 mm en worden gebouwd op diverse SiC-substraten, waaronder 4H-N, HPSI en 4H/6H-P, afgestemd op de specifieke eisen van vermogenselektronica, RF-versterkers en andere geavanceerde halfgeleidercomponenten. Dankzij aanpasbare epitaxiale lagen en unieke SiC-substraten zijn onze wafers ontworpen om een hoog rendement, thermisch beheer en betrouwbaarheid te garanderen voor veeleisende industriële toepassingen.

Stuur ons een e-mail.

Functies

●Dikte van de epitaxiale laagAanpasbaar vanuit1,0 µmnaar3,5 µm, geoptimaliseerd voor hoge vermogens- en frequentieprestaties.

●SiC-substraatopties: Verkrijgbaar met diverse SiC-substraten, waaronder:

4H-N: Hoogwaardig stikstofgedoteerd 4H-SiC voor hoogfrequente, hoogvermogenstoepassingen.
HPSI: Hoogzuiver, halfgeleidend SiC voor toepassingen die elektrische isolatie vereisen.
4H/6H-P: Een mix van 4H- en 6H-SiC voor een evenwicht tussen hoge efficiëntie en betrouwbaarheid.

●WaferformatenBeschikbaar in100 mmEn150 mmdiameters voor veelzijdigheid bij het schalen en integreren van apparaten.

●Hoge doorslagspanningDe GaN op SiC-technologie biedt een hoge doorslagspanning, waardoor robuuste prestaties mogelijk zijn in toepassingen met hoog vermogen.

●Hoge thermische geleidbaarheid: De intrinsieke thermische geleidbaarheid van SiC (ongeveer 490 W/m·K) zorgt voor een uitstekende warmteafvoer bij energie-intensieve toepassingen.

Technische specificaties

Parameter	Waarde
Waferdiameter	100 mm, 150 mm
Dikte van de epitaxiale laag	1,0 µm – 3,5 µm (aanpasbaar)
SiC-substraattypen	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
SiC thermische geleidbaarheid	490 W/m·K
SiC-weerstand	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Semi-isolerend,4H/6H-P: Gemengd 4H/6H
GaN-laagdikte	1,0 µm – 2,0 µm
GaN-ladingsdragerconcentratie	10^18 cm^-3 tot 10^19 cm^-3 (aanpasbaar)
Oppervlaktekwaliteit van de wafer	RMS-ruwheid: < 1 nm
Dislocatiedichtheid	< 1 x 10^6 cm^-2
Wafelboog	< 50 µm
Vlakheid van de wafer	< 5 µm
Maximale bedrijfstemperatuur	400 °C (typisch voor GaN-op-SiC-apparaten)

Toepassingen

●Vermogenselektronica:GaN-op-SiC-wafers bieden een hoog rendement en een goede warmteafvoer, waardoor ze ideaal zijn voor vermogensversterkers, stroomomzettingsapparaten en omvormercircuits die worden gebruikt in elektrische voertuigen, systemen voor hernieuwbare energie en industriële machines.
●RF-vermogensversterkers:De combinatie van GaN en SiC is perfect voor hoogfrequente, krachtige RF-toepassingen zoals telecommunicatie, satellietcommunicatie en radarsystemen.
●Lucht- en ruimtevaart en defensie:Deze wafers zijn geschikt voor ruimtevaart- en defensietechnologieën die hoogwaardige vermogenselektronica en communicatiesystemen vereisen die onder zware omstandigheden kunnen functioneren.
●Automotive toepassingen:Ideaal voor krachtige energiesystemen in elektrische voertuigen (EV's), hybride voertuigen (HEV's) en laadstations, waardoor efficiënte energieomzetting en -regeling mogelijk is.
●Militaire en radarsystemen:GaN-op-SiC-wafers worden in radarsystemen gebruikt vanwege hun hoge efficiëntie, vermogenscapaciteit en thermische prestaties in veeleisende omgevingen.
●Microgolf- en millimetergolftoepassingen:Voor de volgende generatie communicatiesystemen, waaronder 5G, biedt GaN-on-SiC optimale prestaties in het hoogvermogen microgolf- en millimetergolfbereik.

Vragen en antwoorden

Vraag 1: Wat zijn de voordelen van het gebruik van SiC als substraat voor GaN?

A1:Siliciumcarbide (SiC) biedt een superieure thermische geleidbaarheid, een hoge doorslagspanning en mechanische sterkte in vergelijking met traditionele substraten zoals silicium. Dit maakt GaN-op-SiC-wafers ideaal voor toepassingen met hoog vermogen, hoge frequentie en hoge temperatuur. Het SiC-substraat helpt de door GaN-componenten gegenereerde warmte af te voeren, wat de betrouwbaarheid en prestaties verbetert.

Vraag 2: Kan de dikte van de epitaxiale laag worden aangepast voor specifieke toepassingen?

A2:Ja, de dikte van de epitaxiale laag kan binnen een bepaald bereik worden aangepast.1,0 µm tot 3,5 µmAfhankelijk van de vermogens- en frequentievereisten van uw toepassing, kunnen we de dikte van de GaN-laag aanpassen om de prestaties te optimaliseren voor specifieke apparaten zoals vermogensversterkers, RF-systemen of hoogfrequentcircuits.

Vraag 3: Wat is het verschil tussen 4H-N, HPSI en 4H/6H-P SiC-substraten?

A3:

4H-NStikstofgedoteerd 4H-SiC wordt veel gebruikt voor hoogfrequente toepassingen die hoge elektronische prestaties vereisen.
HPSIHoogzuiver, halfgeleidend SiC biedt elektrische isolatie en is ideaal voor toepassingen die minimale elektrische geleidbaarheid vereisen.
4H/6H-PEen mix van 4H- en 6H-SiC die de prestaties in balans brengt en een combinatie van hoge efficiëntie en robuustheid biedt, geschikt voor diverse vermogenselektronica-toepassingen.

Vraag 4: Zijn deze GaN-op-SiC-wafers geschikt voor toepassingen met hoog vermogen, zoals elektrische voertuigen en hernieuwbare energie?

A4:Ja, GaN-op-SiC-wafers zijn zeer geschikt voor toepassingen met hoog vermogen, zoals elektrische voertuigen, hernieuwbare energie en industriële systemen. De hoge doorslagspanning, hoge thermische geleidbaarheid en het vermogen dat GaN-op-SiC-componenten aankunnen, zorgen ervoor dat ze effectief presteren in veeleisende energieomzettings- en regelcircuits.

Vraag 5: Wat is de typische dislocatiedichtheid voor deze wafers?

A5:De dislocatiedichtheid van deze GaN-op-SiC-wafers is typisch< 1 x 10^6 cm^-2Dit zorgt voor hoogwaardige epitaxiale groei, minimaliseert defecten en verbetert de prestaties en betrouwbaarheid van het apparaat.

Vraag 6: Kan ik een specifieke wafergrootte of SiC-substraatsoort aanvragen?

A6:Ja, we bieden wafers op maat aan (100 mm en 150 mm) en SiC-substraattypen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) om aan de specifieke behoeften van uw toepassing te voldoen. Neem contact met ons op voor meer informatie over aanpassingsmogelijkheden en om uw wensen te bespreken.

Vraag 7: Hoe presteren GaN-op-SiC-wafers in extreme omstandigheden?

A7:GaN-op-SiC-wafers zijn ideaal voor extreme omstandigheden dankzij hun hoge thermische stabiliteit, hoge vermogenscapaciteit en uitstekende warmteafvoer. Deze wafers presteren goed onder de hoge temperaturen, hoge vermogens en hoge frequenties die vaak voorkomen in de lucht- en ruimtevaart, defensie en industriële toepassingen.

Conclusie

Onze op maat gemaakte GaN-op-SiC epitaxiale wafers combineren de geavanceerde eigenschappen van GaN en SiC voor superieure prestaties in toepassingen met hoog vermogen en hoge frequentie. Met diverse SiC-substraatopties en aanpasbare epitaxiale lagen zijn deze wafers ideaal voor industrieën die hoge efficiëntie, thermisch beheer en betrouwbaarheid vereisen. Of het nu gaat om vermogenselektronica, RF-systemen of defensietoepassingen, onze GaN-op-SiC wafers bieden de prestaties en flexibiliteit die u nodig hebt.