AlN op FSS 2inch 4inch NPSS/FSS AlN-sjabloon voor halfgeleidergebied

Korte beschrijving:

De AlN op FSS (Flexible Substrate) wafers bieden een unieke combinatie van de uitzonderlijke thermische geleidbaarheid, mechanische sterkte en elektrische isolatie-eigenschappen van aluminiumnitride (AlN), gecombineerd met de flexibiliteit van een hoogwaardig substraat. Deze 2-inch en 4-inch wafers zijn speciaal ontworpen voor geavanceerde halfgeleidertoepassingen, met name waar thermisch beheer en apparaatflexibiliteit cruciaal zijn. Met de optie van NPSS (Non-Polished Substrate) en FSS (Flexible Substrate) als basis, zijn deze AlN-templates ideaal voor toepassingen in vermogenselektronica, RF-apparaten en flexibele elektronische systemen, waar een hoge thermische geleidbaarheid en flexibele integratie essentieel zijn voor het verbeteren van de prestaties en betrouwbaarheid van apparaten.

Stuur ons een e-mail

Productdetails

Productlabels

Eigenschappen

Materiaalsamenstelling:
Aluminium Nitride (AlN) – Witte, hoogwaardige keramische laag die zorgt voor een uitstekende thermische geleidbaarheid (meestal 200-300 W/m·K), goede elektrische isolatie en een hoge mechanische sterkte.
Flexibel substraat (FSS) – Flexibele polymeerfolies (zoals polyimide, PET, enz.) die duurzaamheid en buigzaamheid bieden zonder de functionaliteit van de AlN-laag in gevaar te brengen.

Beschikbare waferformaten:
2 inch (50,8 mm)
4 inch (100 mm)

Dikte:
AlN-laag: 100-2000nm
FSS-substraatdikte: 50 µm - 500 µm (aanpasbaar op basis van vereisten)

Opties voor oppervlakteafwerking:
NPSS (Non-Polished Substrate) – Ongepolijst substraatoppervlak, geschikt voor bepaalde toepassingen waarbij ruwere oppervlakteprofielen nodig zijn voor een betere hechting of integratie.
FSS (Flexible Substrate) – Gepolijste of ongepolijste flexibele film, met de optie voor gladde of getextureerde oppervlakken, afhankelijk van de specifieke toepassingsbehoeften.

Elektrische eigenschappen:
Isolerend – Dankzij de elektrische isolerende eigenschappen van AlN is het ideaal voor hoogspannings- en vermogenhalfgeleidertoepassingen.
Diëlektrische constante: ~9,5
Thermische geleidbaarheid: 200-300 W/m·K (afhankelijk van de specifieke AlN-klasse en dikte)

Mechanische eigenschappen:
Flexibiliteit: AlN wordt afgezet op een flexibel substraat (FSS) dat buiging en flexibiliteit mogelijk maakt.
Oppervlaktehardheid: AlN is zeer duurzaam en bestand tegen fysieke schade onder normale bedrijfsomstandigheden.

Toepassingen

Apparaten met hoog vermogen: Ideaal voor vermogenselektronica die een hoge warmteafvoer vereisen, zoals vermogensomvormers, RF-versterkers en krachtige LED-modules.

RF- en microgolfcomponenten: Geschikt voor componenten zoals antennes, filters en resonatoren waarbij zowel thermische geleidbaarheid als mechanische flexibiliteit nodig zijn.

Flexibele elektronica:Perfect voor toepassingen waarbij apparaten zich moeten aanpassen aan niet-vlakke oppervlakken of een lichtgewicht, flexibel ontwerp vereisen (bijv. wearables, flexibele sensoren).

Halfgeleiderverpakking: Wordt gebruikt als substraat in halfgeleiderverpakkingen en zorgt voor thermische afvoer in toepassingen die veel hitte genereren.

LED's en opto-elektronica:Voor apparaten die een werking bij hoge temperaturen en een goede warmteafvoer vereisen.

Parametertabel

Eigendom	Waarde of bereik
Wafergrootte	2 inch (50,8 mm), 4 inch (100 mm)
AlN-laagdikte	100 nm – 2000 nm
FSS-substraatdikte	50µm – 500µm (aanpasbaar)
Thermische geleidbaarheid	200 – 300 W/m·K
Elektrische eigenschappen	Isolerend (diëlektrische constante: ~9,5)
Oppervlakteafwerking	Gepolijst of ongepolijst
Substraattype	NPSS (niet-gepolijst substraat), FSS (flexibel substraat)
Mechanische flexibiliteit	Hoge flexibiliteit, ideaal voor flexibele elektronica
Kleur	Wit tot gebroken wit (afhankelijk van het substraat)

Toepassingen

●Vermogenselektronica:De combinatie van een hoge thermische geleidbaarheid en flexibiliteit maakt deze wafers ideaal voor vermogensapparaten zoals vermogensomvormers, transistoren en spanningsregelaars die een efficiënte warmteafvoer vereisen.
●RF/magnetronapparaten:Vanwege de superieure thermische eigenschappen en de lage elektrische geleidbaarheid van AlN worden deze wafers gebruikt in RF-componenten zoals versterkers, oscillatoren en antennes.
●Flexibele elektronica:De flexibiliteit van de FSS-laag in combinatie met het uitstekende thermische beheer van AlN maakt het een ideale keuze voor draagbare elektronica en sensoren.
● Halfgeleiderverpakking:Wordt gebruikt voor hoogwaardige halfgeleiderverpakkingen waarbij effectieve thermische afvoer en betrouwbaarheid van cruciaal belang zijn.
●LED- en opto-elektronische toepassingen:Aluminium Nitride is een uitstekend materiaal voor LED-verpakkingen en andere opto-elektronische apparaten die een hoge hittebestendigheid vereisen.

Vragen en antwoorden (Veelgestelde vragen)

V1: Wat zijn de voordelen van het gebruik van AlN op FSS-wafers?

A1: AlN op FSS-wafers combineren de hoge thermische geleidbaarheid en elektrische isolatie-eigenschappen van AlN met de mechanische flexibiliteit van een polymeersubstraat. Dit zorgt voor een betere warmteafvoer in flexibele elektronische systemen, terwijl de integriteit van het apparaat behouden blijft onder buig- en rekomstandigheden.

V2: Welke formaten zijn beschikbaar voor AlN op FSS-wafers?

A2: Wij bieden2 inchEn4 inchWaferafmetingen. Aangepaste formaten zijn op aanvraag bespreekbaar om aan uw specifieke toepassingsbehoeften te voldoen.

V3: Kan ik de dikte van de AlN-laag aanpassen?

A3: Ja, deAlN-laagdiktekan worden aangepast, met typische bereiken van100nm tot 2000nmafhankelijk van uw toepassingsvereisten.