8inch SiC productiekwaliteit wafer 4H-N SiC substraat
De volgende tabel toont de specificaties van onze 8 inch SiC-wafers:
Specificaties van 8 inch N-type SiC DSP | |||||
Nummer | Item | Eenheid | Productie | Onderzoek | Dummy |
1:parameters | |||||
1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
1.2 | oppervlakteoriëntatie | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
2: Elektrische parameter | |||||
2.1 | dopant | -- | n-type stikstof | n-type stikstof | n-type stikstof |
2.2 | soortelijke weerstand | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
3:Mechanische parameter | |||||
3.1 | diameter | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
3.2 | dikte | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
3.3 | Inkepingoriëntatie | ° | [1-100]±5 | [1-100]±5 | [1-100]±5 |
3.4 | Inkepingdiepte | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
3.5 | LTV | μm | ≤5 (10 mm * 10 mm) | ≤5 (10 mm * 10 mm) | ≤10 (10 mm * 10 mm) |
3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
3.7 | Boog | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
3.8 | Verdraaien | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
4:Structuur | |||||
4.1 | micropijpdichtheid | elk/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
4.2 | metaalgehalte | atomen/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
4.3 | TSD | elk/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
4.4 | BPS | elk/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
4.5 | TED | elk/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
5. Kwaliteit van de voorkant | |||||
5.1 | voorkant | -- | Si | Si | Si |
5.2 | oppervlakteafwerking | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
5.3 | deeltje | st/wafel | ≤100 (grootte ≥ 0,3 μm) | NA | NA |
5.4 | kras | st/wafel | ≤5, totale lengte ≤200 mm | NA | NA |
5.5 | Rand chips/deukjes/scheuren/vlekken/verontreiniging | -- | Geen | Geen | NA |
5.6 | Polytype-gebieden | -- | Geen | Oppervlakte ≤10% | Oppervlakte ≤30% |
5.7 | voormarkering | -- | Geen | Geen | Geen |
6: Rugkwaliteit | |||||
6.1 | achterkant afwerking | -- | C-face MP | C-face MP | C-face MP |
6.2 | kras | mm | NA | NA | NA |
6.3 | Rugdefecten rand chips/inkepingen | -- | Geen | Geen | NA |
6.4 | Ruwheid van de rug | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
6.5 | Achtermarkering | -- | Inkeping | Inkeping | Inkeping |
7:rand | |||||
7.1 | rand | -- | Afschuining | Afschuining | Afschuining |
8:Pakket | |||||
8.1 | verpakking | -- | Epi-ready met vacuüm verpakking | Epi-ready met vacuüm verpakking | Epi-ready met vacuüm verpakking |
8.2 | verpakking | -- | Multi-wafer cassetteverpakking | Multi-wafer cassetteverpakking | Multi-wafer cassetteverpakking |
Gedetailleerd diagram



Schrijf hier uw bericht en stuur het naar ons