8-inch SiC-productiekwaliteit wafer 4H-N SiC-substraat

Korte beschrijving:

8-inch SiC-substraten worden gebruikt in krachtige elektronische componenten, zoals vermogens-MOSFET's (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), Schottky-diodes en andere vermogenshalfgeleidercomponenten.


Functies

De volgende tabel toont de specificaties van onze 8-inch SiC-wafers:

Specificaties van een 8-inch N-type SiC DSP

Nummer Item Eenheid Productie Onderzoek Dummy
1: parameters
1.1 polytype -- 4H 4H 4H
1.2 oppervlakteoriëntatie ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2: Elektrische parameter
2.1 dopingmiddel -- n-type stikstof n-type stikstof n-type stikstof
2.2 soortelijke weerstand ohm ·cm 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3: Mechanische parameter
3.1 diameter mm 200±0,2 200±0,2 200±0,2
3.2 dikte μm 500±25 500±25 500±25
3.3 Inkepingoriëntatie ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 Inkepingdiepte mm 1~1,5 1~1,5 1~1,5
3.5 LTV μm ≤5 (10 mm * 10 mm) ≤5 (10 mm * 10 mm) ≤10(10mm*10mm)
3.6 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Boog μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Warp μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0,2 Ra≤0,2 Ra≤0,2
4: Structuur
4.1 micropipe dichtheid stuk/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 metaalgehalte atomen/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD stuk/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 BPD stuk/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED stuk/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Kwaliteit van de voorkant
5.1 voorkant -- Si Si Si
5.2 oppervlakteafwerking -- Si-face CMP Si-face CMP Si-face CMP
5.3 deeltje stuk/wafer ≤100 (grootte≥0,3 μm) NA NA
5.4 kras stuk/wafer ≤5, Totale lengte ≤200 mm NA NA
5.5 Rand
afsplinteringen/deuken/scheuren/vlekken/verontreiniging
-- Geen Geen NA
5.6 Polytypegebieden -- Geen Oppervlakte ≤10% Oppervlakte ≤30%
5.7 frontmarkering -- Geen Geen Geen
6: Kwaliteit van de achterkant
6.1 achterkant afwerking -- C-face MP C-face MP C-face MP
6.2 kras mm NA NA NA
6.3 Defecten aan de achterkant
splinters/deuken
-- Geen Geen NA
6.4 Ruwheid op de rug nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Achterkant markeren -- Inkeping Inkeping Inkeping
7:rand
7.1 rand -- Afschuining Afschuining Afschuining
8:Pakket
8.1 verpakking -- Epi-ready met vacuüm
verpakking
Epi-ready met vacuüm
verpakking
Epi-ready met vacuüm
verpakking
8.2 verpakking -- Multi-wafer
cassetteverpakking
Multi-wafer
cassetteverpakking
Multi-wafer
cassetteverpakking

Gedetailleerd diagram

asd (1)
asd (2)
asd (3)

  • Vorig:
  • Volgende:

  • Schrijf hier je bericht en stuur het naar ons.