6 inch GaN-op-saffier
150 mm 6 inch GaN op silicium/saffier/SiC Epi-laag wafer Gallium nitride epitaxiale wafer
De 6-inch saffiersubstraatwafer is een hoogwaardig halfgeleidermateriaal bestaande uit lagen galliumnitride (GaN) op een saffiersubstraat. Het materiaal heeft uitstekende elektronische transporteigenschappen en is ideaal voor de productie van hoogvermogen- en hoogfrequente halfgeleidercomponenten.
Productiemethode: Het productieproces omvat het laten groeien van GaN-lagen op een saffiersubstraat met behulp van geavanceerde technieken zoals metaalorganische chemische dampdepositie (MOCVD) of moleculaire bundelepitaxie (MBE). Het depositieproces vindt plaats onder gecontroleerde omstandigheden om een hoge kristalkwaliteit en een uniforme film te garanderen.
Toepassingen van 6 inch GaN-op-saffier: chips met een saffiersubstraat van 6 inch worden veel gebruikt in microgolfcommunicatie, radarsystemen, draadloze technologie en opto-elektronica.
Enkele veelvoorkomende toepassingen zijn:
1. RF-versterker
2. LED-verlichtingsindustrie
3. Draadloze netwerkcommunicatieapparatuur
4. Elektronische apparaten in een omgeving met hoge temperaturen
5. Opto-elektronische apparaten
Productspecificaties
- Afmetingen: De diameter van het substraat is 6 inch (ongeveer 150 mm).
- Oppervlaktekwaliteit: Het oppervlak is fijn gepolijst, waardoor een uitstekende spiegelkwaliteit ontstaat.
- Dikte: De dikte van de GaN-laag kan worden aangepast aan specifieke vereisten.
- Verpakking: Het substraat wordt zorgvuldig verpakt met antistatische materialen om beschadiging tijdens transport te voorkomen.
- Positioneringsranden: Het substraat is voorzien van specifieke positioneringsranden die de uitlijning en bediening tijdens de voorbereiding van het apparaat vergemakkelijken.
- Overige parameters: Specifieke parameters zoals dunheid, soortelijke weerstand en dopingconcentratie kunnen worden aangepast volgens de wensen van de klant.
Dankzij hun superieure materiaaleigenschappen en veelzijdige toepassingen zijn 6-inch saffier-substraatwafers een betrouwbare keuze voor de ontwikkeling van hoogwaardige halfgeleiderapparaten in uiteenlopende industrieën.
| Substraat | 6” 1mm <111> p-type Si | 6” 1mm <111> p-type Si |
| Epi DikGemiddeld | ~5um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Boog | +/-45um | +/-45um |
| Kraken | <5 mm | <5 mm |
| Verticale BV | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT DikGem | 20-30 nm | 20-30 nm |
| In-situ SiN-dop | 5-60 nm | 5-60 nm |
| 2DEG conc. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobiliteit | ~2000cm2/Vs (<2%) | ~2000cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330 ohm/m² (<2%) | <330 ohm/m² (<2%) |
Gedetailleerd diagram
