6 inch GaN-op-saffier
150 mm 6 inch GaN op silicium/saffier/SiC epitaxiale wafer Galliumnitride epitaxiale wafer
De 6-inch saffiersubstraatwafer is een hoogwaardig halfgeleidermateriaal dat bestaat uit lagen galliumnitride (GaN) die op een saffiersubstraat zijn gegroeid. Het materiaal heeft uitstekende elektronische transporteigenschappen en is ideaal voor de productie van krachtige en hoogfrequente halfgeleidercomponenten.
Productiemethode: Het productieproces omvat het laten groeien van GaN-lagen op een saffiersubstraat met behulp van geavanceerde technieken zoals metaal-organische chemische dampafzetting (MOCVD) of moleculaire bundelepitaxie (MBE). Het afzettingsproces wordt uitgevoerd onder gecontroleerde omstandigheden om een hoge kristalkwaliteit en een uniforme film te garanderen.
Toepassingen van 6-inch GaN-op-saffier: Chips met een saffiersubstraat van 6 inch worden veel gebruikt in microgolfcommunicatie, radarsystemen, draadloze technologie en opto-elektronica.
Enkele veelvoorkomende toepassingen zijn:
1. RF-vermogensversterker
2. LED-verlichtingsindustrie
3. Draadloze netwerkcommunicatieapparatuur
4. Elektronische apparaten in een omgeving met hoge temperaturen
5. Opto-elektronische apparaten
Productspecificaties
- Afmetingen: De diameter van het substraat is 6 inch (ongeveer 150 mm).
- Oppervlaktekwaliteit: Het oppervlak is fijn gepolijst voor een uitstekende spiegelglans.
- Dikte: De dikte van de GaN-laag kan worden aangepast aan specifieke eisen.
- Verpakking: Het substraat wordt zorgvuldig verpakt met antistatische materialen om beschadiging tijdens transport te voorkomen.
- Positioneringsranden: Het substraat heeft specifieke positioneringsranden die de uitlijning en werking tijdens de apparaatvoorbereiding vergemakkelijken.
- Overige parameters: Specifieke parameters zoals dunheid, soortelijke weerstand en doteringsconcentratie kunnen worden aangepast aan de wensen van de klant.
Met hun superieure materiaaleigenschappen en uiteenlopende toepassingen zijn 6-inch saffiersubstraatwafers een betrouwbare keuze voor de ontwikkeling van hoogwaardige halfgeleidercomponenten in diverse industrieën.
| Substraat | 6” 1mm <111> p-type Si | 6” 1mm <111> p-type Si |
| Epi ThickAvg | ~5 µm | ~7 µm |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Boog | +/-45 µm | +/-45 µm |
| Kraken | <5mm | <5mm |
| Verticale BV | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT DikteGemiddeld | 20-30 nm | 20-30 nm |
| In-situ SiN-afdeklaag | 5-60 nm | 5-60 nm |
| 2DEG concentratie | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobiliteit | ~2000 cm2/Vs (<2%) | ~2000 cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330 ohm/sq (<2%) | <330 ohm/sq (<2%) |
Gedetailleerd diagram
