150 mm 6 inch 0,7 mm 0,5 mm saffierwafer substraatdrager C-vlak SSP/DSP
Toepassingen
Toepassingen voor 6-inch saffierwafers zijn onder meer:
1. LED-fabricage: saffierwafers kunnen worden gebruikt als substraat voor LED-chips. De hardheid en thermische geleidbaarheid ervan kunnen de stabiliteit en levensduur van LED-chips verbeteren.
2. Laserfabricage: Saffierwafers kunnen ook als substraat voor lasers worden gebruikt, om de prestaties van de laser te verbeteren en de levensduur te verlengen.
3. Halfgeleiderfabricage: Saffierwafers worden veel gebruikt bij de productie van elektronische en opto-elektronische apparaten, waaronder optische synthese, zonnecellen, hoogfrequente elektronische apparaten, enz.
4. Andere toepassingen: Saffierwafers kunnen ook worden gebruikt voor de productie van touchscreens, optische apparaten, dunnefilmzonnecellen en andere hightechproducten.
Specificatie
| Materiaal | Hoogzuiver enkelkristal Al2O3, saffierwafer. |
| Dimensie | 150 mm +/- 0,05 mm, 6 inch |
| Dikte | 1300 +/- 25 um |
| Oriëntatie | C-vlak (0001) uit M (1-100) vlak 0,2 +/- 0,05 graden |
| Primaire vlakke oriëntatie | Een vliegtuig +/- 1 graad |
| Primaire vlakke lengte | 47,5 mm +/- 1 mm |
| Totale diktevariatie (TTV) | <20 um |
| Boog | <25 um |
| Verdraaien | <25 um |
| Thermische uitzettingscoëfficiënt | 6,66 x 10-6 / °C evenwijdig aan de C-as, 5 x 10-6 / °C loodrecht op de C-as |
| Diëlektrische sterkte | 4,8 x 105 V/cm |
| Diëlektrische constante | 11,5 (1 MHz) langs de C-as, 9,3 (1 MHz) loodrecht op de C-as |
| Dielektrische verliestangens (ook wel dissipatiefactor genoemd) | minder dan 1 x 10-4 |
| Thermische geleidbaarheid | 40 W/(mK) bij 20℃ |
| Polijsten | Enkelzijdig gepolijst (SSP) of dubbelzijdig gepolijst (DSP) Ra < 0,5 nm (via AFM). De achterkant van de SSP-wafer werd fijngeslepen tot Ra = 0,8 - 1,2 µm. |
| Transmissie | 88% +/-1 % bij 460 nm |
Gedetailleerd diagram
