6 inch-8 inch LN-op-Si composiet substraatdikte 0,3-50 μm Si/SiC/Saffier van materialen

Korte beschrijving:

Het LN-op-Si-composietsubstraat met een diameter van 15 tot 20 cm is een hoogwaardig materiaal dat dunne monokristallijne lithiumniobaat (LN)-films integreert met silicium (Si)-substraten, met diktes variërend van 0,3 μm tot 50 μm. Het is ontworpen voor de productie van geavanceerde halfgeleiders en opto-elektronische apparaten. Door gebruik te maken van geavanceerde bonding- of epitaxiale groeitechnieken garandeert dit substraat een hoge kristalkwaliteit van de dunne LN-film, terwijl de grote wafergrootte (15 tot 20 cm) van het siliciumsubstraat wordt benut om de productie-efficiëntie en kosteneffectiviteit te verbeteren.
Vergeleken met conventionele bulk LN-materialen biedt het 6-inch tot 8-inch LN-op-Si composietsubstraat superieure thermische aanpassing en mechanische stabiliteit, waardoor het geschikt is voor grootschalige waferverwerking. Daarnaast kunnen alternatieve basismaterialen zoals SiC of saffier worden geselecteerd om te voldoen aan specifieke toepassingsvereisten, waaronder hoogfrequente RF-apparaten, geïntegreerde fotonica en MEMS-sensoren.

Stuur ons een e-mail

Productdetails

Productlabels

Technische parameters

0,3-50 μm LN/LT op isolatoren
Bovenste laag
Diameter	6-8 inch
Oriëntatie	X, Z, Y-42 enz.
Materialen	LT, LN
Dikte	0,3-50 μm
Substraat (op maat gemaakt)
Materiaal	Si, SiC, Saffier, Spinel, Kwarts

Belangrijkste kenmerken

Het LN-op-Si composietsubstraat van 6 tot 8 inch onderscheidt zich door zijn unieke materiaaleigenschappen en instelbare parameters, waardoor een brede toepasbaarheid in de halfgeleider- en opto-elektronische industrie mogelijk is:

1. Compatibiliteit met grote wafers: het waferformaat van 6 tot 8 inch zorgt voor een naadloze integratie met bestaande productielijnen voor halfgeleiders (bijvoorbeeld CMOS-processen), waardoor productiekosten worden verlaagd en massaproductie mogelijk wordt.

2. Hoge kristallijne kwaliteit: geoptimaliseerde epitaxiale of bondingtechnieken zorgen voor een lage defectdichtheid in de LN-dunne film, waardoor deze ideaal is voor optische modulatoren met hoge prestaties, SAW-filters (Surface Acoustic Wave) en andere precisieapparaten.

3. Instelbare dikte (0,3–50 μm): Ultradunne LN-lagen (<1 μm) zijn geschikt voor geïntegreerde fotonische chips, terwijl dikkere lagen (10–50 μm) RF-apparaten met hoog vermogen of piëzo-elektrische sensoren ondersteunen.

4. Meerdere substraatopties: Naast Si kunnen SiC (hoge thermische geleidbaarheid) of saffier (hoge isolatie) worden geselecteerd als basismaterialen om te voldoen aan de eisen van toepassingen met hoge frequenties, hoge temperaturen of hoog vermogen.

5. Thermische en mechanische stabiliteit: Het siliciumsubstraat biedt robuuste mechanische ondersteuning, waardoor kromtrekken of scheuren tijdens de verwerking tot een minimum wordt beperkt en de opbrengst van het apparaat wordt verbeterd.

Deze eigenschappen maken het 6- tot 8-inch LN-on-Si-composietsubstraat tot een voorkeursmateriaal voor geavanceerde technologieën zoals 5G-communicatie, LiDAR en kwantumoptica.

Belangrijkste toepassingen

Het 6- tot 8-inch LN-on-Si composiet substraat wordt veel gebruikt in hightechindustrieën vanwege de uitzonderlijke elektro-optische, piëzo-elektrische en akoestische eigenschappen:

1. Optische communicatie en geïntegreerde fotonica: maakt snelle elektro-optische modulatoren, golfgeleiders en fotonische geïntegreerde schakelingen (PIC's) mogelijk, waarmee wordt voldaan aan de bandbreedtevereisten van datacenters en glasvezelnetwerken.

2.5G/6G RF-apparaten: Dankzij de hoge piëzo-elektrische coëfficiënt van LN is het ideaal voor SAW- (surface acoustic wave) en BAW- (bulk acoustic wave) filters, waardoor de signaalverwerking in 5G-basisstations en mobiele apparaten wordt verbeterd.

3. MEMS en sensoren: Het piëzo-elektrische effect van LN-op-Si maakt zeer gevoelige accelerometers, biosensoren en ultrasone transducers mogelijk voor medische en industriële toepassingen.

4. Quantumtechnologieën: Als niet-lineair optisch materiaal worden LN-dunne films gebruikt in kwantumlichtbronnen (bijvoorbeeld verstrengelde fotonenparen) en geïntegreerde kwantumchips.

5. Lasers en niet-lineaire optica: ultradunne LN-lagen maken efficiënte apparaten met tweede harmonische generatie (SHG) en optische parametrische oscillatie (OPO) mogelijk voor laserverwerking en spectroscopische analyse.

Dankzij het gestandaardiseerde LN-op-Si-composietsubstraat van 6 tot 8 inch kunnen deze apparaten in grootschalige waferfabrieken worden geproduceerd, waardoor de productiekosten aanzienlijk worden verlaagd.

Maatwerk en diensten

Wij bieden uitgebreide technische ondersteuning en maatwerkdiensten voor het 6-inch tot 8-inch LN-on-Si composietsubstraat om te voldoen aan diverse R&D- en productiebehoeften:

1. Maatwerk: de dikte van de LN-film (0,3–50 μm), de kristaloriëntatie (X-cut/Y-cut) en het substraatmateriaal (Si/SiC/saffier) kunnen worden aangepast om de prestaties van het apparaat te optimaliseren.

2. Verwerking op waferniveau: levering van grote hoeveelheden 6-inch en 8-inch wafers, inclusief back-enddiensten zoals dicing, polijsten en coaten, zodat de substraten gereed zijn voor integratie in apparaten.

3. Technisch advies en testen: Materiaalkarakterisering (bijv. XRD, AFM), elektro-optische prestatietests en ondersteuning van apparaatsimulatie om de ontwerpvalidatie te versnellen.

Onze missie is om het 6-inch tot 8-inch LN-on-Si composiet substraat te ontwikkelen tot een kernmateriaaloplossing voor opto-elektronische en halfgeleidertoepassingen, waarbij we end-to-end ondersteuning bieden van R&D tot massaproductie.

Conclusie

Het LN-op-Si-composietsubstraat van 15 tot 20 cm (6 tot 8 inch) stimuleert met zijn grote waferformaat, superieure materiaalkwaliteit en veelzijdigheid de vooruitgang in optische communicatie, 5G RF en kwantumtechnologie. Of het nu gaat om grootschalige productie of maatwerkoplossingen, wij leveren betrouwbare substraten en aanvullende diensten om technologische innovatie te stimuleren.