6 in siliciumcarbide 4H-SiC semi-isolerende staaf, dummykwaliteit

Korte beschrijving:

Siliciumcarbide (SiC) zorgt voor een revolutie in de halfgeleiderindustrie, vooral in toepassingen met hoog vermogen, hoge frequentie en stralingsbestendigheid. De 6-inch 4H-SiC semi-isolerende staaf, aangeboden in dummykwaliteit, is een essentieel materiaal voor prototyping, onderzoek en kalibratieprocessen. Met een grote bandafstand, uitstekende thermische geleidbaarheid en mechanische robuustheid dient deze ingot als een kosteneffectieve optie voor testen en procesoptimalisatie zonder afbreuk te doen aan de fundamentele kwaliteit die vereist is voor geavanceerde ontwikkeling. Dit product is geschikt voor een verscheidenheid aan toepassingen, waaronder vermogenselektronica, radiofrequentie (RF) apparaten en opto-elektronica, waardoor het een hulpmiddel van onschatbare waarde is voor de industrie en onderzoeksinstellingen.

Stuur een e-mail naar ons

Productdetail

Productlabels

Eigenschappen

1. Fysieke en structurele eigenschappen
●Materiaaltype: Siliciumcarbide (SiC)
●Polytype: 4H-SiC, zeshoekige kristalstructuur
●Diameter: 6 inch (150 mm)
●Dikte: configureerbaar (5-15 mm typisch voor dummy-kwaliteit)
●Kristaloriëntatie:
oPrimair: [0001] (C-vlak)
o Secundaire opties: Off-axis 4° voor geoptimaliseerde epitaxiale groei
●Primaire vlakke oriëntatie: (10-10) ± 5°
●Secundaire platte oriëntatie: 90° tegen de klok in vanaf primaire platte ± 5°

2. Elektrische eigenschappen
●Weerstand:
oSemi-isolerend (>106^66 Ω·cm), ideaal voor het minimaliseren van parasitaire capaciteit.
●Dopingtype:
oOnbedoeld gedoteerd, wat resulteert in een hoge elektrische weerstand en stabiliteit onder een reeks bedrijfsomstandigheden.

3. Thermische eigenschappen
●Thermische geleidbaarheid: 3,5-4,9 W/cm·K, waardoor effectieve warmteafvoer in systemen met hoog vermogen mogelijk is.
●Thermische uitzettingscoëfficiënt: 4,2×10−64,2 \times 10^{-6}4,2×10−6/K, waardoor dimensionale stabiliteit wordt gegarandeerd tijdens verwerking bij hoge temperaturen.

4. Optische eigenschappen
●Bandafstand: Brede bandafstand van 3,26 eV, waardoor werking onder hoge spanningen en temperaturen mogelijk is.
●Transparantie: Hoge transparantie voor UV- en zichtbare golflengten, handig voor opto-elektronische tests.

5. Mechanische eigenschappen
●Hardheid: schaal van Mohs 9, de tweede na diamant, waardoor duurzaamheid tijdens de verwerking wordt gegarandeerd.
●Defectdichtheid:
o Gecontroleerd op minimale macrodefecten, waardoor voldoende kwaliteit voor dummy-grade toepassingen wordt gegarandeerd.
●Vlakheid: Uniformiteit met afwijkingen

Parameter	Details	Eenheid
Cijfer	Dummy-klasse
Diameter	150,0 ± 0,5	mm
Waferoriëntatie	Op de as: <0001> ± 0,5°	rang
Elektrische weerstand	> 1E5	Ω·cm
Primaire vlakke oriëntatie	{10-10} ± 5,0°	rang
Primaire platte lengte	Inkeping
Scheuren (lichtinspectie met hoge intensiteit)	< 3 mm radiaal	mm
Zeskantplaten (lichtinspectie met hoge intensiteit)	Cumulatief gebied ≤ 5%	%
Polytype-gebieden (lichtinspectie met hoge intensiteit)	Cumulatief gebied ≤ 10%	%
Dichtheid van de micropijp	< 50	cm−2^-2−2
Rand chippen	3 toegestaan, elk ≤ 3 mm	mm
Opmerking	Snijwafeldikte < 1 mm, > 70% (exclusief twee uiteinden) voldoen aan bovenstaande eisen

Toepassingen

1. Prototyping en onderzoek
De 6-inch 4H-SiC-baar van dummy-kwaliteit is een ideaal materiaal voor prototyping en onderzoek, waardoor fabrikanten en laboratoria:
●Test procesparameters in chemische dampafzetting (CVD) of fysische dampafzetting (PVD).
●Ontwikkel en verfijn technieken voor etsen, polijsten en waferslicen.
●Ontdek nieuwe apparaatontwerpen voordat u overstapt op materiaal van productiekwaliteit.

2. Apparaatkalibratie en testen
De semi-isolerende eigenschappen maken deze staaf van onschatbare waarde voor:
●Evalueren en kalibreren van de elektrische eigenschappen van apparaten met hoog vermogen en hoge frequentie.
●Simulatie van operationele omstandigheden voor MOSFET's, IGBT's of diodes in testomgevingen.
●Dient als kosteneffectief alternatief voor zeer zuivere substraten tijdens de vroege ontwikkelingsfase.

3. Vermogenselektronica
De hoge thermische geleidbaarheid en de brede bandafstand van 4H-SiC maken een efficiënte werking in vermogenselektronica mogelijk, waaronder:
●Hoogspanningsvoedingen.
●Omvormers voor elektrische voertuigen (EV).
●Hernieuwbare energiesystemen, zoals zonne-energie-omvormers en windturbines.

4. Radiofrequentie (RF)-toepassingen
De lage diëlektrische verliezen en de hoge elektronenmobiliteit van 4H-SiC maken het geschikt voor:
●RF-versterkers en transistors in communicatie-infrastructuur.
●Hoogfrequente radarsystemen voor lucht- en ruimtevaart- en defensietoepassingen.
●Draadloze netwerkcomponenten voor opkomende 5G-technologieën.

5. Stralingsbestendige apparaten
Vanwege de inherente weerstand tegen door straling veroorzaakte defecten is semi-isolerend 4H-SiC ideaal voor:
●Ruimteonderzoeksapparatuur, inclusief satellietelektronica en energiesystemen.
●Stralingbestendige elektronica voor nucleaire monitoring en controle.
●Defensietoepassingen die robuustheid vereisen in extreme omgevingen.

6. Opto-elektronica
De optische transparantie en brede bandafstand van 4H-SiC maken het gebruik ervan mogelijk in:
●UV-fotodetectoren en krachtige LED's.
●Het testen van optische coatings en oppervlaktebehandelingen.
●Prototyping van optische componenten voor geavanceerde sensoren.

Voordelen van dummy-grade materiaal

Kostenefficiëntie:
De dummy-kwaliteit is een betaalbaarder alternatief voor materialen van onderzoeks- of productiekwaliteit, waardoor het ideaal is voor routinetests en procesverfijning.

Aanpasbaarheid:
Configureerbare afmetingen en kristaloriëntaties zorgen voor compatibiliteit met een breed scala aan toepassingen.

Schaalbaarheid:
De diameter van 6 inch voldoet aan de industrienormen, waardoor naadloze schaalbaarheid naar productieprocessen mogelijk is.

Robuustheid:
Hoge mechanische sterkte en thermische stabiliteit maken de staaf duurzaam en betrouwbaar onder gevarieerde experimentele omstandigheden.

Veelzijdigheid:
Geschikt voor meerdere industrieën, van energiesystemen tot communicatie en opto-elektronica.

Conclusie

De 6-inch siliciumcarbide (4H-SiC) semi-isolerende staaf, dummy-kwaliteit, biedt een betrouwbaar en veelzijdig platform voor onderzoek, prototyping en testen in geavanceerde technologiesectoren. De uitzonderlijke thermische, elektrische en mechanische eigenschappen, gecombineerd met betaalbaarheid en aanpasbaarheid, maken het tot een onmisbaar materiaal voor zowel de academische wereld als de industrie. Van vermogenselektronica tot RF-systemen en stralingsbestendige apparaten: deze staaf ondersteunt innovatie in elke ontwikkelingsfase.
Voor meer gedetailleerde specificaties of het aanvragen van een offerte kunt u direct contact met ons opnemen. Ons technisch team staat klaar om u te helpen met oplossingen op maat die aan uw vereisten voldoen.