6 inch siliciumcarbide 4H-SiC halfgeleidende staaf, dummykwaliteit
Eigenschappen
1. Fysische en structurele eigenschappen
●Materiaalsoort: Siliciumcarbide (SiC)
●Polytype: 4H-SiC, hexagonale kristalstructuur
●Diameter: 6 inch (150 mm)
●Dikte: Instelbaar (5-15 mm typisch voor dummy-kwaliteit)
●Kristaloriëntatie:
oPrimair: [0001] (C-vlak)
oSecundaire opties: Off-axis 4° voor geoptimaliseerde epitaxiale groei
●Primaire vlakke oriëntatie: (10-10) ± 5°
●Secundaire vlakoriëntatie: 90° tegen de klok in ten opzichte van het primaire vlak ± 5°
2. Elektrische eigenschappen
● Weerstand:
oSemi-isolerend (>106^66 Ω·cm), ideaal voor het minimaliseren van parasitaire capaciteit.
●Dopingtype:
Onbedoeld gedoteerd, wat resulteert in een hoge elektrische weerstand en stabiliteit onder uiteenlopende bedrijfsomstandigheden.
3. Thermische eigenschappen
●Thermische geleidbaarheid: 3,5-4,9 W/cm·K, waardoor effectieve warmteafvoer in systemen met hoog vermogen mogelijk is.
●Thermische uitzettingscoëfficiënt: 4,2×10−64,2 \times 10^{-6}4,2×10−6/K, wat dimensionale stabiliteit garandeert tijdens verwerking bij hoge temperaturen.
4. Optische eigenschappen
●Bandgap: Brede bandgap van 3,26 eV, waardoor werking bij hoge spanningen en temperaturen mogelijk is.
●Transparantie: Hoge transparantie voor UV- en zichtbare golflengten, nuttig voor opto-elektronische testen.
5. Mechanische eigenschappen
●Hardheid: Mohs-schaal 9, na diamant de hardste hardheid, wat duurzaamheid tijdens de bewerking garandeert.
●Defectdichtheid:
Gecontroleerd op minimale macroscopische defecten, waardoor voldoende kwaliteit voor testtoepassingen gegarandeerd is.
●Vlakheid: Uniformiteit met afwijkingen
| Parameter | Details | Eenheid |
| Cijfer | Nepcijfer | |
| Diameter | 150,0 ± 0,5 | mm |
| Waferoriëntatie | Op de as: <0001> ± 0,5° | rang |
| Elektrische weerstand | > 1E5 | Ω·cm |
| Primaire vlakke oriëntatie | {10-10} ± 5,0° | rang |
| Primaire vlakke lengte | Inkeping | |
| Scheuren (inspectie met hoge lichtintensiteit) | < 3 mm in radial | mm |
| Hex-platen (inspectie met licht van hoge intensiteit) | Cumulatief oppervlak ≤ 5% | % |
| Polytypegebieden (inspectie met licht van hoge intensiteit) | Cumulatief oppervlak ≤ 10% | % |
| Micropipe-dichtheid | < 50 | cm−2^-2−2 |
| Randafschilfering | 3 toegestaan, elk ≤ 3 mm | mm |
| Opmerking | Bij het snijden van wafers met een dikte van < 1 mm voldoet > 70% (exclusief de twee uiteinden) aan de bovenstaande eisen. |
Toepassingen
1. Prototypen en onderzoek
De 6-inch 4H-SiC-staaf van dummykwaliteit is een ideaal materiaal voor prototyping en onderzoek, waardoor fabrikanten en laboratoria het volgende kunnen doen:
● Test procesparameters in chemische dampafzetting (CVD) of fysische dampafzetting (PVD).
● Ontwikkel en verfijn ets-, polijst- en wafer-slicingtechnieken.
●Onderzoek nieuwe apparaatontwerpen voordat u overgaat op productieklaar materiaal.
2. Kalibratie en testen van het apparaat
De semi-isolerende eigenschappen maken deze staaf van onschatbare waarde voor:
●Het evalueren en kalibreren van de elektrische eigenschappen van apparaten met hoog vermogen en hoge frequentie.
●Het simuleren van bedrijfsomstandigheden voor MOSFET's, IGBT's of diodes in testomgevingen.
●Dient als een kosteneffectief alternatief voor substraten met een hoge zuiverheid tijdens de vroege ontwikkelingsfase.
3. Vermogenselektronica
De hoge thermische geleidbaarheid en de brede bandgap-eigenschappen van 4H-SiC maken een efficiënte werking mogelijk in vermogenselektronica, waaronder:
●Hoogspanningsvoedingen.
●Omvormers voor elektrische voertuigen (EV's).
●Hernieuwbare energiesystemen, zoals zonne-omvormers en windturbines.
4. Radiofrequentie (RF)-toepassingen
De lage diëlektrische verliezen en hoge elektronenmobiliteit van 4H-SiC maken het geschikt voor:
●RF-versterkers en transistoren in communicatie-infrastructuur.
●Hoogfrequente radarsystemen voor lucht- en ruimtevaart- en defensietoepassingen.
● Draadloze netwerkcomponenten voor opkomende 5G-technologieën.
5. Stralingsbestendige apparaten
Door zijn inherente weerstand tegen door straling veroorzaakte defecten is halfgeleidend 4H-SiC ideaal voor:
●Apparatuur voor ruimteonderzoek, inclusief satellietelektronica en energiesystemen.
●Stralingsbestendige elektronica voor nucleaire bewaking en besturing.
●Defensietoepassingen die robuustheid vereisen in extreme omstandigheden.
6. Opto-elektronica
De optische transparantie en brede bandgap van 4H-SiC maken het mogelijk om het te gebruiken in:
●UV-fotodetectoren en krachtige LED's.
●Testen van optische coatings en oppervlaktebehandelingen.
●Prototypering van optische componenten voor geavanceerde sensoren.
Voordelen van materiaal van dummykwaliteit
Kostenefficiëntie:
De dummy-kwaliteit is een betaalbaarder alternatief voor materialen van onderzoeks- of productiekwaliteit, waardoor het ideaal is voor routinetests en procesverbetering.
Aanpasbaarheid:
Configureerbare afmetingen en kristaloriëntaties garanderen compatibiliteit met een breed scala aan toepassingen.
Schaalbaarheid:
De diameter van 6 inch voldoet aan de industrienormen, waardoor een naadloze schaalvergroting naar productieprocessen mogelijk is.
Robuustheid:
De hoge mechanische sterkte en thermische stabiliteit maken de staaf duurzaam en betrouwbaar onder uiteenlopende experimentele omstandigheden.
Veelzijdigheid:
Geschikt voor diverse industrieën, van energiesystemen tot communicatie en opto-elektronica.
Conclusie
De 6-inch siliciumcarbide (4H-SiC) halfgeleidende staaf, dummykwaliteit, biedt een betrouwbaar en veelzijdig platform voor onderzoek, prototyping en testen in geavanceerde technologiesectoren. De uitzonderlijke thermische, elektrische en mechanische eigenschappen, gecombineerd met betaalbaarheid en aanpasbaarheid, maken het een onmisbaar materiaal voor zowel de academische wereld als de industrie. Van vermogenselektronica tot RF-systemen en stralingsbestendige apparaten, deze staaf ondersteunt innovatie in elke ontwikkelingsfase.
Voor meer gedetailleerde specificaties of om een offerte aan te vragen, kunt u direct contact met ons opnemen. Ons technische team staat klaar om u te helpen met oplossingen op maat die aan uw wensen voldoen.
Gedetailleerd diagram
