6 inch siliciumcarbide 4H-SiC semi-isolerende staaf, dummy-kwaliteit
Eigenschappen
1. Fysieke en structurele eigenschappen
●Materiaaltype: siliciumcarbide (SiC)
●Polytype: 4H-SiC, hexagonale kristalstructuur
●Diameter: 6 inch (150 mm)
●Dikte: configureerbaar (5-15 mm typisch voor dummy-kwaliteit)
●Kristaloriëntatie:
oPrimair: [0001] (C-vlak)
oSecundaire opties: 4° buiten de as voor geoptimaliseerde epitaxiale groei
●Primaire vlakke oriëntatie: (10-10) ± 5°
● Secundaire vlakke oriëntatie: 90° tegen de klok in vanaf primaire vlakke ± 5°
2. Elektrische eigenschappen
●Weerstand:
Half-isolerend (>106^66 Ω·cm), ideaal voor het minimaliseren van parasitaire capaciteit.
●Dopingtype:
Onbedoeld gedoteerd, wat resulteert in een hoge elektrische weerstand en stabiliteit onder verschillende bedrijfsomstandigheden.
3. Thermische eigenschappen
●Thermische geleidbaarheid: 3,5-4,9 W/cm·K, waardoor effectieve warmteafvoer in systemen met een hoog vermogen mogelijk is.
●Thermische uitzettingscoëfficiënt: 4,2×10−6 4,2 × 10−6/K, waardoor maatvastheid wordt gegarandeerd tijdens verwerking bij hoge temperaturen.
4. Optische eigenschappen
●Bandgap: Grote bandgap van 3,26 eV, waardoor werking bij hoge spanningen en temperaturen mogelijk is.
●Transparantie: Hoge transparantie voor UV- en zichtbare golflengten, handig voor opto-elektronische testen.
5. Mechanische eigenschappen
●Hardheid: Mohs-schaal 9, alleen overtroffen door diamant, garandeert duurzaamheid tijdens de verwerking.
●Defectdichtheid:
Gecontroleerd op minimale macrodefecten, waardoor voldoende kwaliteit voor dummy-grade toepassingen wordt gegarandeerd.
●Vlakheid: Uniformiteit met afwijkingen
| Parameter | Details | Eenheid |
| Cijfer | Dummy-cijfer | |
| Diameter | 150,0 ± 0,5 | mm |
| Waferoriëntatie | Op de as: <0001> ± 0,5° | rang |
| Elektrische weerstand | > 1E5 | Ω·cm |
| Primaire vlakke oriëntatie | {10-10} ± 5,0° | rang |
| Primaire vlakke lengte | Inkeping | |
| Scheuren (inspectie met hoogintensieve lichtsterkte) | < 3 mm in radial | mm |
| Hex-platen (inspectie met hoogintensieve lichtsterkte) | Cumulatief oppervlak ≤ 5% | % |
| Polytype-gebieden (inspectie met hoogintensieve lichtintensiteit) | Cumulatief oppervlak ≤ 10% | % |
| Micropijpdichtheid | < 50 | cm−2^-2−2 |
| Randafbrokkeling | 3 toegestaan, elk ≤ 3 mm | mm |
| Opmerking | Plakwafels met een dikte van < 1 mm, > 70% (exclusief twee uiteinden) voldoen aan bovenstaande eisen |
Toepassingen
1. Prototyping en onderzoek
De 6-inch 4H-SiC-staaf van dummy-kwaliteit is een ideaal materiaal voor prototyping en onderzoek, waardoor fabrikanten en laboratoria het volgende kunnen doen:
● Test procesparameters bij chemische dampdepositie (CVD) of fysische dampdepositie (PVD).
●Ontwikkelen en verfijnen van ets-, polijst- en wafer-slicingtechnieken.
● Nieuwe apparaatontwerpen onderzoeken voordat u overstapt op materiaal van productiekwaliteit.
2. Apparaatkalibratie en testen
De semi-isolerende eigenschappen maken deze staaf onmisbaar voor:
●Het evalueren en kalibreren van de elektrische eigenschappen van hoogvermogen- en hoogfrequente apparaten.
●Simulatie van operationele omstandigheden voor MOSFET's, IGBT's of diodes in testomgevingen.
●Fungeert als een kosteneffectief alternatief voor substraten met een hoge zuiverheidsgraad tijdens de vroege ontwikkelingsfase.
3. Vermogenselektronica
De hoge thermische geleidbaarheid en de brede bandgap-eigenschappen van 4H-SiC maken een efficiënte werking in vermogenselektronica mogelijk, waaronder:
●Hoogspanningsvoedingen.
●Omvormers voor elektrische voertuigen (EV's).
●Hernieuwbare energiesystemen, zoals zonneomvormers en windturbines.
4. Radiofrequentie (RF) toepassingen
Dankzij de lage diëlektrische verliezen en de hoge elektronenmobiliteit is 4H-SiC geschikt voor:
●RF-versterkers en transistoren in communicatie-infrastructuur.
●Hoogfrequente radarsystemen voor toepassingen in de lucht- en ruimtevaart en defensie.
●Draadloze netwerkcomponenten voor opkomende 5G-technologieën.
5. Stralingsbestendige apparaten
Vanwege de inherente weerstand tegen door straling veroorzaakte defecten is semi-isolerend 4H-SiC ideaal voor:
●Ruimteverkenningsapparatuur, inclusief satelliet-elektronica en energiesystemen.
●Stralingsbestendige elektronica voor nucleaire monitoring en controle.
●Defensietoepassingen die robuustheid in extreme omgevingen vereisen.
6. Opto-elektronica
De optische transparantie en brede bandgap van 4H-SiC maken het mogelijk om het te gebruiken in:
●UV-fotodetectoren en krachtige LED's.
●Testen van optische coatings en oppervlaktebehandelingen.
●Prototyping van optische componenten voor geavanceerde sensoren.
Voordelen van dummy-grade materiaal
Kostenefficiëntie:
De dummy-kwaliteit is een betaalbaarder alternatief voor materialen van onderzoeks- of productiekwaliteit en is daarom ideaal voor routinematige tests en procesverbetering.
Aanpasbaarheid:
Configureerbare afmetingen en kristaloriëntaties zorgen voor compatibiliteit met een breed scala aan toepassingen.
Schaalbaarheid:
De diameter van 6 inch voldoet aan de industrienormen en maakt naadloze opschaling naar productieprocessen mogelijk.
Robuustheid:
De hoge mechanische sterkte en thermische stabiliteit maken het blok duurzaam en betrouwbaar onder uiteenlopende experimentele omstandigheden.
Veelzijdigheid:
Geschikt voor meerdere industrieën, van energiesystemen tot communicatie en opto-elektronica.
Conclusie
De 15 cm grote semi-isolerende siliciumcarbide (4H-SiC) staaf van dummykwaliteit biedt een betrouwbaar en veelzijdig platform voor onderzoek, prototyping en testen in geavanceerde technologische sectoren. De uitzonderlijke thermische, elektrische en mechanische eigenschappen, gecombineerd met betaalbaarheid en aanpasbaarheid, maken het een onmisbaar materiaal voor zowel de academische wereld als de industrie. Van vermogenselektronica tot RF-systemen en stralingsbestendige apparaten, deze staaf ondersteunt innovatie in elke ontwikkelingsfase.
Voor meer gedetailleerde specificaties of een offerte kunt u direct contact met ons opnemen. Ons technische team staat klaar om u te helpen met oplossingen op maat die aan uw eisen voldoen.
Gedetailleerd diagram
