4H-N Dia205mm SiC-kiem uit China P- en D-kwaliteit Monokristallijn

De PVT-methode (Physical Vapor Transport) is een veelgebruikte methode voor de groei van siliciumcarbide-eenkristallen. Bij het PVT-groeiproces wordt siliciumcarbide-eenkristalmateriaal afgezet door middel van fysieke verdamping en transport rondom siliciumcarbide-kiemkristallen, waardoor nieuwe siliciumcarbide-eenkristallen langs de structuur van de kiemkristallen groeien.

Bij de PVT-methode speelt het siliciumcarbide-kiemkristal een cruciale rol als uitgangspunt en sjabloon voor de groei, en beïnvloedt het de kwaliteit en structuur van het uiteindelijke eenkristal. Tijdens het PVT-groeiproces kan, door parameters zoals temperatuur, druk en gasfasesamenstelling te controleren, de groei van siliciumcarbide-eenkristallen worden gerealiseerd om grote, hoogwaardige eenkristalmaterialen te vormen.

Het groeiproces met siliciumcarbide-kiemkristallen via de PVT-methode is van groot belang voor de productie van siliciumcarbide-eenkristallen en speelt een cruciale rol bij het verkrijgen van hoogwaardige, grote siliciumcarbide-eenkristallen.

Het 8-inch SiC-kiemkristal dat wij aanbieden is momenteel zeer zeldzaam op de markt. Vanwege de relatief hoge technische complexiteit kunnen de meeste fabrieken geen kiemkristallen van dit formaat leveren. Dankzij onze langdurige en nauwe relatie met een Chinese siliciumcarbidefabriek kunnen wij onze klanten echter wel deze 8-inch siliciumcarbide-kiemkristallen leveren. Neem gerust contact met ons op als u hier interesse in heeft. We delen de specificaties graag met u.