4H-N Dia205mm SiC-zaad uit China P en D-kwaliteit monokristallijn

De PVT-methode (Physical Vapor Transport) is een veelgebruikte methode om siliciumcarbidekristallen te laten groeien. Bij het PVT-groeiproces wordt siliciumcarbidekristalmateriaal afgezet door middel van fysische verdamping en transport, gecentreerd rond siliciumcarbidekiemkristallen. Hierdoor groeien nieuwe siliciumcarbidekristallen langs de structuur van de kiemkristallen.

Bij de PVT-methode speelt het siliciumcarbide-kiemkristal een belangrijke rol als startpunt en sjabloon voor de groei, en beïnvloedt het de kwaliteit en structuur van het uiteindelijke monokristal. Tijdens het PVT-groeiproces kan, door parameters zoals temperatuur, druk en gasfasesamenstelling te beheersen, de groei van siliciumcarbide-monokristallen worden gerealiseerd tot grootschalige, hoogwaardige monokristalmaterialen.

Het groeiproces gericht op siliciumcarbide-entkristallen door middel van de PVT-methode is van groot belang bij de productie van siliciumcarbide-enkelkristallen en speelt een sleutelrol bij het verkrijgen van hoogwaardige, grote siliciumcarbide-enkelkristalmaterialen.

Het 8-inch SiC-seedkristal dat wij aanbieden, is momenteel zeer zeldzaam op de markt. Vanwege de relatief hoge technische moeilijkheidsgraad kunnen de meeste fabrieken geen grote seedkristallen leveren. Dankzij onze lange en nauwe relatie met de Chinese siliciumcarbidefabriek kunnen wij onze klanten echter wel deze 8-inch siliciumcarbide seedwafer bieden. Neem gerust contact met ons op als u vragen heeft. We kunnen de specificaties dan eerst met u delen.