4H-N Dia205mm SiC-zaad uit China P- en D-kwaliteit monokristallijn

De PVT-methode (Physical Vapor Transport) is een veelgebruikte methode die wordt gebruikt om enkele kristallen van siliciumcarbide te laten groeien. Tijdens het PVT-groeiproces wordt siliciumcarbide-eenkristalmateriaal afgezet door fysieke verdamping en transport gecentreerd op siliciumcarbide-entkristallen, zodat nieuwe siliciumcarbide-enkelkristallen langs de structuur van de entkristallen groeien.

Bij de PVT-methode speelt het siliciumcarbide-entkristal een sleutelrol als startpunt en sjabloon voor groei, en beïnvloedt het de kwaliteit en structuur van het uiteindelijke monokristal. Tijdens het PVT-groeiproces kan, door het controleren van parameters zoals temperatuur, druk en gasfasesamenstelling, de groei van eenkristallen van siliciumcarbide worden gerealiseerd om hoogwaardige eenkristalmaterialen van hoge kwaliteit te vormen.

Het groeiproces waarbij de PVT-methode de siliciumcarbide-entkristallen centraal stelt, is van groot belang bij de productie van eenkristallen van siliciumcarbide en speelt een sleutelrol bij het verkrijgen van hoogwaardige, grote siliciumcarbide-eenkristalmaterialen.

Het 8 inch SiCseed-kristal dat wij aanbieden is momenteel zeer zeldzaam op de markt. Vanwege de relatief hoge technische problemen kan de overgrote meerderheid van de fabrieken geen grote entkristallen leveren. Dankzij onze lange en nauwe relatie met de Chinese siliciumcarbidefabriek kunnen we onze klanten echter deze 8-inch siliciumcarbidezaadwafel leveren. Als u wensen heeft, neem dan gerust contact met ons op. Wij kunnen de specificaties eerst met u delen.