4H-N 8 inch SiC substraat wafer Siliciumcarbide Dummy Onderzoekskwaliteit 500 µm dikte

Korte beschrijving:

Siliciumcarbidewafers worden gebruikt in elektronische apparaten zoals vermogensdiodes, MOSFET's, hoogvermogen microgolfcomponenten en RF-transistoren, en maken efficiënte energieomzetting en energiebeheer mogelijk. SiC-wafers en -substraten worden ook gebruikt in auto-elektronica, lucht- en ruimtevaartsystemen en technologieën voor hernieuwbare energie.

Stuur ons een e-mail

Functies

Hoe kiest u siliciumcarbidewafers en SiC-substraten?

Bij de keuze van siliciumcarbide (SiC) wafers en substraten zijn er verschillende factoren waarmee rekening moet worden gehouden. Hier zijn enkele belangrijke criteria:

Materiaaltype: Bepaal het type SiC-materiaal dat geschikt is voor uw toepassing, zoals 4H-SiC of 6H-SiC. De meest gebruikte kristalstructuur is 4H-SiC.

Dopingtype: Bepaal of u een gedoteerd of ongedoteerd SiC-substraat nodig hebt. Veelgebruikte dopingtypes zijn N-type (n-gedoopt) of P-type (p-gedoopt), afhankelijk van uw specifieke vereisten.

Kristalkwaliteit: Beoordeel de kristalkwaliteit van de SiC-wafers of -substraten. De gewenste kwaliteit wordt bepaald door parameters zoals het aantal defecten, de kristallografische oriëntatie en de oppervlakteruwheid.

Waferdiameter: Kies de juiste wafergrootte op basis van uw toepassing. Veelvoorkomende maten zijn 2 inch, 3 inch, 4 inch en 6 inch. Hoe groter de diameter, hoe meer opbrengst u per wafer kunt behalen.

Dikte: Houd rekening met de gewenste dikte van de SiC-wafers of -substraten. Typische dikteopties variëren van enkele micrometers tot enkele honderden micrometers.

Oriëntatie: Bepaal de kristallografische oriëntatie die aansluit bij de eisen van uw toepassing. Veelvoorkomende oriëntaties zijn (0001) voor 4H-SiC en (0001) of (0001̅) voor 6H-SiC.

Oppervlakteafwerking: Beoordeel de oppervlakteafwerking van de SiC-wafers of -substraten. Het oppervlak moet glad, gepolijst en vrij van krassen of verontreinigingen zijn.

Reputatie van de leverancier: Kies een gerenommeerde leverancier met ruime ervaring in de productie van hoogwaardige SiC-wafers en -substraten. Houd rekening met factoren zoals productiecapaciteit, kwaliteitscontrole en klantbeoordelingen.

Kosten: Houd rekening met de kostenimplicaties, zoals de prijs per wafer of substraat en eventuele extra kosten voor aanpassingen.

Het is belangrijk om deze factoren zorgvuldig te beoordelen en te overleggen met experts uit de sector of leveranciers om er zeker van te zijn dat de gekozen SiC-wafers en -substraten voldoen aan uw specifieke toepassingsvereisten.