4H-N 8 inch SiC-substraatwafel Siliciumcarbide Dummy Onderzoekskwaliteit 500um dikte

Korte beschrijving:

Siliciumcarbidewafels worden gebruikt in elektronische apparaten zoals vermogensdiodes, MOSFET's, krachtige microgolfapparaten en RF-transistors, waardoor efficiënte energieconversie en energiebeheer mogelijk zijn. SiC-wafels en -substraten worden ook gebruikt in auto-elektronica, ruimtevaartsystemen en technologieën voor hernieuwbare energie.

Stuur een e-mail naar ons

Productdetail

Productlabels

Hoe kiest u siliciumcarbidewafels en SiC-substraten?

Bij het kiezen van siliciumcarbide (SiC) wafers en substraten zijn er verschillende factoren waarmee rekening moet worden gehouden. Hier zijn enkele belangrijke criteria:

Materiaaltype: Bepaal het type SiC-materiaal dat bij uw toepassing past, zoals 4H-SiC of 6H-SiC. De meest gebruikte kristalstructuur is 4H-SiC.

Dopingtype: Bepaal of u een gedoteerd of ongedoteerd SiC-substraat nodig heeft. Veel voorkomende dopingtypes zijn N-type (n-doped) of P-type (p-doped), afhankelijk van uw specifieke vereisten.

Kristalkwaliteit: Beoordeel de kristalkwaliteit van de SiC-wafels of -substraten. De gewenste kwaliteit wordt bepaald door parameters zoals het aantal defecten, kristallografische oriëntatie en oppervlakteruwheid.

Waferdiameter: Kies de juiste wafelgrootte op basis van uw toepassing. Veel voorkomende maten zijn 2 inch, 3 inch, 4 inch en 6 inch. Hoe groter de diameter, hoe meer opbrengst je per wafer kunt behalen.

Dikte: Houd rekening met de gewenste dikte van de SiC-wafels of substraten. Typische dikteopties variëren van enkele micrometers tot enkele honderden micrometers.

Oriëntatie: Bepaal de kristallografische oriëntatie die aansluit bij de vereisten van uw toepassing. Gemeenschappelijke oriëntaties omvatten (0001) voor 4H-SiC en (0001) of (0001̅) voor 6H-SiC.

Oppervlakteafwerking: Evalueer de oppervlakteafwerking van de SiC-wafels of substraten. Het oppervlak moet glad, gepolijst en vrij van krassen of verontreinigingen zijn.

Leveranciersreputatie: Kies een gerenommeerde leverancier met uitgebreide ervaring in het produceren van hoogwaardige SiC-wafels en -substraten. Denk aan factoren zoals productiemogelijkheden, kwaliteitscontrole en klantbeoordelingen.

Kosten: Houd rekening met de kostenimplicaties, inclusief de prijs per wafer of substraat en eventuele extra aanpassingskosten.

Het is belangrijk om deze factoren zorgvuldig te beoordelen en overleg te plegen met experts uit de industrie of leveranciers om ervoor te zorgen dat de gekozen SiC-wafels en -substraten voldoen aan uw specifieke toepassingsvereisten.