4 inch saffierwafer C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Toepassingen
● Groeisubstraat voor III-V en II-VI verbindingen.
● Elektronica en opto-elektronica.
● IR-toepassingen.
● Geïntegreerd silicium-op-saffiercircuit (SOS).
● Radiofrequentie-geïntegreerd circuit (RFIC).
Bij de productie van leds worden saffierwafers gebruikt als substraat voor de groei van galliumnitride (GaN)-kristallen, die licht uitzenden wanneer er elektrische stroom op wordt gezet. Saffier is een ideaal substraatmateriaal voor de groei van GaN omdat het een vergelijkbare kristalstructuur en thermische uitzettingscoëfficiënt heeft als GaN, wat defecten minimaliseert en de kristalkwaliteit verbetert.
In de optica worden saffierwafers gebruikt als vensters en lenzen in omgevingen met hoge druk en hoge temperaturen, en in infraroodbeeldvormingssystemen, vanwege hun hoge transparantie en hardheid.
Specificatie
Item | 4-inch C-vlak (0001) 650 μm saffierwafers | |
Kristalmaterialen | 99,999%, hoge zuiverheid, monokristallijn Al2O3 | |
Cijfer | Prime, Epi-Ready | |
Oppervlakteoriëntatie | C-vlak (0001) | |
C-vlak afwijkt van de M-as 0,2 +/- 0,1° | ||
Diameter | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
Dikte | 650 μm +/- 25 μm | |
Primaire vlakke oriëntatie | A-vlak (11-20) +/- 0,2° | |
Primaire vlakke lengte | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
Enkelzijdig gepolijst | Voorkant | Epi-gepolijst, Ra < 0,2 nm (volgens AFM) |
(SSP) | Achterkant | Fijn gemalen, Ra = 0,8 μm tot 1,2 μm |
Dubbelzijdig gepolijst | Voorkant | Epi-gepolijst, Ra < 0,2 nm (volgens AFM) |
(DSP) | Achterkant | Epi-gepolijst, Ra < 0,2 nm (volgens AFM) |
TTV | < 20 μm | |
BOOG | < 20 μm | |
WARP | < 20 μm | |
Reiniging / Verpakking | Reiniging en vacuümverpakking van cleanrooms klasse 100, | |
25 stuks in één cassetteverpakking of afzonderlijke stukverpakking. |
Inpakken en verzenden
Over het algemeen leveren wij de verpakking in dozen met 25 cassettes. Wij kunnen ook per enkele wafercontainer verpakken in een reinigingsruimte van klasse 100, afhankelijk van de vereisten van de klant.
Gedetailleerd diagram

