2 inch siliciumcarbide wafer 6H-N type prime grade research grade dummy grade 330 μm 430 μm dikte

Korte beschrijving:

Er bestaan veel verschillende polymorfen van siliciumcarbide en 6H-siliciumcarbide is een van de bijna 200 polymorfen. 6H-siliciumcarbide is verreweg de meest voorkomende modificatie van siliciumcarbiden voor commerciële doeleinden. 6H-siliciumcarbidewafers zijn van cruciaal belang. Ze kunnen worden gebruikt als halfgeleiders. Het wordt veel gebruikt in slijp- en snijgereedschappen, zoals snijschijven, vanwege de duurzaamheid en lage materiaalkosten. Het wordt gebruikt in moderne composiet kogelwerende vesten en kogelwerende vesten. Het wordt ook gebruikt in de auto-industrie, waar het wordt gebruikt voor de productie van remschijven. In grote gieterijtoepassingen wordt het gebruikt om smeltende metalen in smeltkroezen te houden. Het gebruik ervan in elektrische en elektronische toepassingen is zo bekend dat het geen discussie behoeft. Bovendien wordt het gebruikt in vermogenselektronica, leds, astronomie, dunne filamentpyrometrie, sieraden, grafeen- en staalproductie, en als katalysator. Wij bieden 6H siliciumcarbidewafers aan met een onderscheidende kwaliteit en een verbluffende 99,99%.

Stuur ons een e-mail

Productdetails

Productlabels

De kenmerken van siliciumcarbidewafers zijn:

1. Siliciumcarbide (SiC)-wafers hebben uitstekende elektrische en thermische eigenschappen. Siliciumcarbide (SiC)-wafers hebben een lage thermische uitzetting.

2. Siliciumcarbide (SiC)-wafers hebben superieure hardheidseigenschappen. Siliciumcarbide (SiC)-wafers presteren goed bij hoge temperaturen.

3. Siliciumcarbide (SiC) wafers hebben een hoge corrosie-, erosie- en oxidatiebestendigheid. Bovendien glanzen siliciumcarbide (SiC) wafers meer dan diamanten of zirkonia.

4. Betere stralingsbestendigheid: SIC-wafers hebben een sterkere stralingsbestendigheid, waardoor ze geschikt zijn voor gebruik in stralingsomgevingen. Voorbeelden hiervan zijn ruimtevaartuigen en nucleaire installaties.
5. Hogere hardheid: SIC-wafers zijn harder dan silicium, wat de duurzaamheid van de wafers tijdens de verwerking verbetert.

6.Lagere diëlektrische constante: De diëlektrische constante van SIC-wafers is lager dan die van silicium, wat helpt om de parasitaire capaciteit in het apparaat te verminderen en de hogefrequentieprestaties te verbeteren.

Siliciumcarbidewafers hebben verschillende toepassingen

SiC wordt gebruikt voor de fabricage van componenten met zeer hoge spanning en hoog vermogen, zoals diodes, vermogenstransistoren en microgolfcomponenten met hoog vermogen. Vergeleken met conventionele SiC-componenten schakelen componenten op basis van SiC sneller, hebben ze hogere spanningen, lagere parasitaire weerstanden, een kleiner formaat en vereisen ze minder koeling dankzij de hogetemperatuurbestendigheid.
Terwijl siliciumcarbide (SiC-6H) - 6H wafer superieure elektronische eigenschappen heeft, is siliciumcarbide (SiC-6H) - 6H wafer het gemakkelijkst te bereiden en het best te bestuderen.
1. Vermogenselektronica: Siliciumcarbidewafers worden gebruikt bij de productie van vermogenselektronica, die in een breed scala aan toepassingen wordt gebruikt, waaronder elektrische voertuigen, hernieuwbare energiesystemen en industriële apparatuur. De hoge thermische geleidbaarheid en het lage vermogensverlies van siliciumcarbide maken het een ideaal materiaal voor deze toepassingen.
2. LED-verlichting: Siliciumcarbidewafers worden gebruikt bij de productie van LED-verlichting. De hoge sterkte van siliciumcarbide maakt het mogelijk om LED's te produceren die duurzamer en langer meegaan dan traditionele lichtbronnen.
3. Halfgeleidercomponenten: Siliciumcarbidewafers worden gebruikt bij de productie van halfgeleidercomponenten, die in een breed scala aan toepassingen worden gebruikt, waaronder telecommunicatie, computers en consumentenelektronica. De hoge thermische geleidbaarheid en het lage vermogensverlies van siliciumcarbide maken het een ideaal materiaal voor deze toepassingen.
4. Zonnecellen: Siliciumcarbidewafers worden gebruikt bij de productie van zonnecellen. De hoge sterkte van siliciumcarbide maakt het mogelijk om zonnecellen te produceren die duurzamer en duurzamer zijn dan traditionele zonnecellen.
Al met al is de ZMSH siliciumcarbidewafer een veelzijdig en hoogwaardig product dat in een breed scala aan toepassingen kan worden gebruikt. De hoge thermische geleidbaarheid, het lage vermogensverlies en de hoge sterkte maken het een ideaal materiaal voor elektronische apparaten met hoge temperaturen en een hoog vermogen. Met een kromming van ≤50 µm, een oppervlakteruwheid van ≤1,2 nm en een soortelijke weerstand van hoge/lage soortelijke weerstand is de siliciumcarbidewafer een betrouwbare en efficiënte keuze voor elke toepassing die een vlak en glad oppervlak vereist.
Ons SiC-substraatproduct wordt geleverd met uitgebreide technische ondersteuning en services om optimale prestaties en klanttevredenheid te garanderen.
Ons team van experts staat voor u klaar om u te helpen met productselectie, installatie en probleemoplossing.
Wij bieden trainingen en opleidingen aan over het gebruik en onderhoud van onze producten, zodat onze klanten het maximale uit hun investering kunnen halen.
Daarnaast bieden wij voortdurend productupdates en -verbeteringen, zodat onze klanten altijd toegang hebben tot de nieuwste technologie.