2 inch 6H-N siliciumcarbide substraat Sic wafer dubbel gepolijst geleidend prime-kwaliteit Mos-kwaliteit

Korte beschrijving:

Het 6H n-type siliciumcarbide (SiC) monokristallijn substraat is een essentieel halfgeleidermateriaal dat veelvuldig wordt gebruikt in elektronische toepassingen met hoog vermogen, hoge frequenties en hoge temperaturen. 6H-N SiC staat bekend om zijn hexagonale kristalstructuur en biedt een brede bandgap en een hoge thermische geleidbaarheid, waardoor het ideaal is voor veeleisende omgevingen.
Het hoge elektrische veld en de elektronenmobiliteit van dit materiaal maken de ontwikkeling mogelijk van efficiënte vermogenselektronica, zoals MOSFET's en IGBT's, die kunnen werken bij hogere spanningen en temperaturen dan apparaten gemaakt van traditioneel silicium. De uitstekende thermische geleidbaarheid zorgt voor een effectieve warmteafvoer, cruciaal voor het behoud van prestaties en betrouwbaarheid in toepassingen met een hoog vermogen.
In radiofrequentie (RF) toepassingen ondersteunen de eigenschappen van 6H-N SiC de ontwikkeling van apparaten die op hogere frequenties kunnen werken met een verbeterde efficiëntie. De chemische stabiliteit en stralingsbestendigheid maken het ook geschikt voor gebruik in zware omstandigheden, waaronder in de lucht- en ruimtevaart en defensie.
Bovendien zijn 6H-N SiC-substraten essentieel voor opto-elektronische apparaten, zoals ultraviolette fotodetectoren, waar hun brede bandgap efficiënte detectie van UV-licht mogelijk maakt. De combinatie van deze eigenschappen maakt 6H n-type SiC een veelzijdig en onmisbaar materiaal voor de ontwikkeling van moderne elektronische en opto-elektronische technologieën.

Stuur ons een e-mail

Productdetails

Productlabels

De kenmerken van siliciumcarbidewafers zijn:

· Productnaam: SiC-substraat
· Hexagonale structuur: unieke elektronische eigenschappen.
· Hoge elektronenmobiliteit: ~600 cm²/V·s.
· Chemische stabiliteit: Corrosiebestendig.
· Stralingsbestendigheid: Geschikt voor zware omstandigheden.
· Lage intrinsieke dragerconcentratie: efficiënt bij hoge temperaturen.
· Duurzaamheid: Sterke mechanische eigenschappen.
· Opto-elektronische mogelijkheden: effectieve detectie van UV-licht.

Siliciumcarbidewafers hebben verschillende toepassingen

SiC-wafertoepassingen:
SiC (siliciumcarbide) substraten worden gebruikt in diverse hoogwaardige toepassingen vanwege hun unieke eigenschappen, zoals een hoge thermische geleidbaarheid, hoge elektrische veldsterkte en brede bandgap. Hier zijn enkele toepassingen:

1. Vermogenselektronica:
·Hoge-spannings-MOSFET's
·IGBT's (Insulated Gate Bipolar Transistors)
·Schottky-diodes
·Omvormers

2. Hoogfrequente apparaten:
·RF (radiofrequentie) versterkers
·Microgolftransistors
·Millimetergolf-apparaten

3. Hogetemperatuurelektronica:
·Sensoren en circuits voor zware omstandigheden
·Lucht- en ruimtevaartelektronica
·Auto-elektronica (bijvoorbeeld motorregeleenheden)

4.Opto-elektronica:
·Ultraviolette (UV) fotodetectoren
·Lichtgevende diodes (LED's)
·Laserdiodes

5. Hernieuwbare energiesystemen:
·Zonneomvormers
·Windturbine-omvormers
·Aandrijflijnen van elektrische voertuigen

6. Industrie en Defensie:
·Radarsystemen
·Satellietcommunicatie
·Instrumentatie voor kernreactoren

SiC-wafer-aanpassing

We kunnen de afmetingen van het SiC-substraat aanpassen aan uw specifieke eisen. We bieden ook een 4H-Semi HPSI SiC-wafer aan met een afmeting van 10x10 mm of 5x5 mm.
De prijs wordt bepaald per doos en de verpakkingsdetails kunnen naar uw voorkeur worden aangepast.
De levertijd bedraagt 2-4 weken. Wij accepteren betaling via T/T.
Onze fabriek beschikt over geavanceerde productieapparatuur en een technisch team, dat SiC-wafers op maat kan leveren op basis van diverse specificaties, diktes en vormen, geheel afgestemd op de specifieke wensen van de klant.