2 inch 6H-N siliciumcarbide substraat SiC wafer dubbel gepolijst geleidende premium kwaliteit Mos-kwaliteit

Korte beschrijving:

Het 6H n-type siliciumcarbide (SiC) eenkristalsubstraat is een essentieel halfgeleidermateriaal dat veelvuldig wordt gebruikt in elektronische toepassingen met hoog vermogen, hoge frequentie en hoge temperatuur. 6H-N SiC staat bekend om zijn hexagonale kristalstructuur en biedt een brede bandgap en hoge thermische geleidbaarheid, waardoor het ideaal is voor veeleisende omgevingen.
Het hoge doorslagveld en de elektronenmobiliteit van dit materiaal maken de ontwikkeling mogelijk van efficiënte vermogenselektronica, zoals MOSFET's en IGBT's, die bij hogere spanningen en temperaturen kunnen werken dan componenten van traditioneel silicium. De uitstekende thermische geleidbaarheid zorgt voor een effectieve warmteafvoer, wat cruciaal is voor het behoud van prestaties en betrouwbaarheid in toepassingen met hoog vermogen.
In radiofrequentietoepassingen (RF) ondersteunen de eigenschappen van 6H-N SiC de ontwikkeling van apparaten die op hogere frequenties met een verbeterde efficiëntie kunnen werken. De chemische stabiliteit en stralingsbestendigheid maken het materiaal bovendien geschikt voor gebruik in ve veeleisende omgevingen, waaronder de lucht- en ruimtevaart- en defensiesector.
Bovendien zijn 6H-N SiC-substraten essentieel voor opto-elektronische apparaten, zoals ultraviolette fotodetectoren, waar hun brede bandgap efficiënte detectie van UV-licht mogelijk maakt. De combinatie van deze eigenschappen maakt 6H n-type SiC tot een veelzijdig en onmisbaar materiaal voor de ontwikkeling van moderne elektronische en opto-elektronische technologieën.

Stuur ons een e-mail.

Functies

De volgende eigenschappen zijn van toepassing op siliciumcarbide wafers:

· Productnaam: SiC-substraat
• Hexagonale structuur: Unieke elektronische eigenschappen.
• Hoge elektronenmobiliteit: ~600 cm²/V·s.
• Chemische stabiliteit: Bestand tegen corrosie.
• Stralingsbestendigheid: Geschikt voor extreme omstandigheden.
• Lage intrinsieke ladingsdragerconcentratie: efficiënt bij hoge temperaturen.
• Duurzaamheid: Sterke mechanische eigenschappen.
• Opto-elektronische mogelijkheden: Effectieve detectie van UV-licht.

Siliciumcarbide wafers hebben diverse toepassingen.

SiC-wafertoepassingen:
SiC (siliciumcarbide) substraten worden gebruikt in diverse hoogwaardige toepassingen vanwege hun unieke eigenschappen, zoals een hoge thermische geleidbaarheid, een hoge elektrische veldsterkte en een brede bandgap. Hieronder volgen enkele voorbeelden van toepassingen:

1. Vermogenselektronica:
• Hoogspannings-MOSFET's
·IGBT's (Insulated Gate Bipolar Transistors)
• Schottky-diodes
• Stroomomvormers

2. Hoogfrequente apparaten:
• RF (radiofrequentie) versterkers
• Magnetrontransistors
• Millimetergolfapparaten

3. Elektronica voor hoge temperaturen:
• Sensoren en circuits voor veeleisende omgevingen
• Lucht- en ruimtevaartelektronica
• Auto-elektronica (bijv. motorregelunits)

4. Opto-elektronica:
• Ultraviolet (UV) fotodetectoren
• Lichtgevende diodes (LED's)
• Laserdiodes

5. Hernieuwbare energiesystemen:
• Zonne-omvormers
• Windturbine-omvormers
• Aandrijflijnen voor elektrische voertuigen

6. Industrie en Defensie:
• Radarsystemen
• Satellietcommunicatie
• Instrumentatie van kernreactoren

SiC-waferaanpassing

We kunnen de afmetingen van het SiC-substraat aanpassen aan uw specifieke eisen. We bieden ook een 4H-Semi HPSI SiC-wafer aan met een afmeting van 10x10 mm of 5x5 mm.
De prijs wordt bepaald per doos, en de verpakkingsdetails kunnen naar uw voorkeur worden aangepast.
De levertijd bedraagt 2-4 weken. Wij accepteren betalingen via bankoverschrijving (T/T).
Onze fabriek beschikt over geavanceerde productieapparatuur en een technisch team, waardoor we SiC-wafers met diverse specificaties, diktes en vormen kunnen produceren volgens de specifieke eisen van de klant.