2Inch 6H-N Siliciumcarbide Substraat Sic Wafer Dubbel gepolijst Geleidende eerste kwaliteit Mos-kwaliteit

2 Inch 6H-N Siliciumcarbide Substraat Sic Wafer Dubbel Gepolijst Geleidend Eersteklas Mos-kwaliteit Uitgelichte afbeelding

Korte beschrijving:

Het 6H n-type siliciumcarbide (SiC) monokristallijne substraat is een essentieel halfgeleidermateriaal dat op grote schaal wordt gebruikt in elektronische toepassingen met hoog vermogen, hoge frequentie en hoge temperaturen. 6H-N SiC staat bekend om zijn zeshoekige kristalstructuur en biedt een grote bandafstand en hoge thermische geleidbaarheid, waardoor het ideaal is voor veeleisende omgevingen.
Het hoge elektrische veld en de elektronenmobiliteit van dit materiaal maken de ontwikkeling mogelijk van efficiënte vermogenselektronica, zoals MOSFET's en IGBT's, die kunnen werken bij hogere spanningen en temperaturen dan die gemaakt van traditioneel silicium. De uitstekende thermische geleidbaarheid zorgt voor een effectieve warmteafvoer, cruciaal voor het behoud van de prestaties en betrouwbaarheid in toepassingen met hoog vermogen.
In radiofrequentie (RF)-toepassingen ondersteunen de eigenschappen van 6H-N SiC de creatie van apparaten die in staat zijn om op hogere frequenties te werken met verbeterde efficiëntie. De chemische stabiliteit en weerstand tegen straling maken het ook geschikt voor gebruik in ruwe omgevingen, waaronder de lucht- en ruimtevaart- en defensiesector.
Bovendien zijn 6H-N SiC-substraten een integraal onderdeel van opto-elektronische apparaten, zoals ultraviolette fotodetectoren, waar hun brede bandafstand efficiënte detectie van UV-licht mogelijk maakt. De combinatie van deze eigenschappen maakt 6H n-type SiC tot een veelzijdig en onmisbaar materiaal bij het bevorderen van moderne elektronische en opto-elektronische technologieën.

Stuur een e-mail naar ons

Productdetail

Productlabels

Hieronder volgen de kenmerken van een siliciumcarbidewafel:

· Productnaam: SiC-substraat
· Zeshoekige structuur: unieke elektronische eigenschappen.
· Hoge elektronenmobiliteit: ~600 cm²/V·s.
· Chemische stabiliteit: Bestand tegen corrosie.
· Stralingsbestendigheid: Geschikt voor zware omstandigheden.
· Lage intrinsieke dragerconcentratie: efficiënt bij hoge temperaturen.
· Duurzaamheid: Sterke mechanische eigenschappen.
· Opto-elektronische mogelijkheden: effectieve UV-lichtdetectie.

Siliciumcarbidewafel heeft verschillende toepassingen

SiC-wafeltoepassingen:
SiC-substraten (siliciumcarbide) worden in verschillende hoogwaardige toepassingen gebruikt vanwege hun unieke eigenschappen, zoals hoge thermische geleidbaarheid, hoge elektrische veldsterkte en grote bandafstand. Hier zijn enkele toepassingen:

1. Vermogenselektronica:
· Hoogspannings-MOSFET's
·IGBT's (bipolaire transistors met geïsoleerde poort)
·Schottky-diodes
·Stroomomvormers

2. Hoogfrequente apparaten:
·RF-versterkers (radiofrequentie).
·Magnetrontransistoren
· Millimetergolfapparaten

3. Elektronica op hoge temperatuur:
·Sensoren en circuits voor zware omstandigheden
·Luchtvaartelektronica
·Auto-elektronica (bijv. motorregeleenheden)

4. Opto-elektronica:
·Ultraviolette (UV) fotodetectoren
·Lichtgevende diodes (LED's)
·Laserdiodes

5. Hernieuwbare energiesystemen:
·Zonne-omvormers
·Windturbineconverters
·Aandrijflijnen voor elektrische voertuigen

6. Industrieel en defensie:
·Radarsystemen
· Satellietcommunicatie
·Kernreactorinstrumentatie

SiC-wafelaanpassing

We kunnen de grootte van het SiC-substraat aanpassen aan uw specifieke vereisten. Wij bieden ook een 4H-Semi HPSI SiC wafer aan met een afmeting van 10x10mm of 5x5 mm.
De prijs wordt per geval bepaald en de verpakkingsdetails kunnen naar uw voorkeur worden aangepast.
De levertijd bedraagt binnen 2-4 weken. Wij accepteren betaling via T/T.
Onze fabriek beschikt over geavanceerde productieapparatuur en een technisch team, dat verschillende specificaties, diktes en vormen van SiC-wafels kan aanpassen aan de specifieke eisen van de klant.