2 inch, 4 inch en 6 inch gepatroonde saffiersubstraten (PSS) waarop GaN-materiaal wordt gekweekt, kunnen worden gebruikt voor LED-verlichting.
Belangrijkste kenmerken
1. Structurele kenmerken:
Het PSS-oppervlak heeft een geordend kegelvormig of driehoekig kegelvormig patroon waarvan de vorm, grootte en verdeling kunnen worden geregeld door de parameters van het etsproces aan te passen.
Deze grafische structuren helpen het voortplantingspad van licht te veranderen en de totale reflectie van licht te verminderen, waardoor de efficiëntie van de lichtextractie wordt verbeterd.
2. Materiaaleigenschappen:
PSS gebruikt hoogwaardig saffier als substraatmateriaal, dat de kenmerken heeft van hoge hardheid, hoge thermische geleidbaarheid, goede chemische stabiliteit en optische transparantie.
Dankzij deze eigenschappen is PSS bestand tegen zware omstandigheden zoals hoge temperaturen en drukken, terwijl de uitstekende optische prestaties behouden blijven.
3. Optische prestaties:
Door de meervoudige verstrooiing aan het grensvlak tussen GaN en het saffiersubstraat te veranderen, zorgt PSS ervoor dat fotonen die volledig in de GaN-laag worden gereflecteerd, de kans krijgen om uit het saffiersubstraat te ontsnappen.
Deze functie verbetert de lichtopbrengst van de LED aanzienlijk en verhoogt de lichtintensiteit van de LED.
4. Proceskenmerken:
Het productieproces van PSS is relatief complex en omvat meerdere stappen zoals lithografie en etsen, en vereist zeer nauwkeurige apparatuur en procesbeheersing.
Door de voortdurende technologische vooruitgang en de verlaging van de kosten wordt het productieproces van PSS echter steeds verder geoptimaliseerd en verbeterd.
Kernvoordeel
1. Verbeterde lichtextractie-efficiëntie: PSS verbetert de lichtextractie-efficiëntie van LED's aanzienlijk door het lichtvoortplantingspad te veranderen en de totale reflectie te verminderen.
2. Verlenging van de levensduur van LED's: PSS kan de dislocatiedichtheid van GaN-epitaxiale materialen verminderen, waardoor de niet-radiatieve recombinatie en de omgekeerde lekstroom in het actieve gebied afnemen en de levensduur van de LED wordt verlengd.
3. Verbeterde LED-helderheid: Door de verbeterde lichtextractie-efficiëntie en de verlengde levensduur van de LED's wordt de lichtintensiteit van de LED's op het PSS aanzienlijk verhoogd.
4. Lagere productiekosten: Hoewel het productieproces van PSS relatief complex is, kan het de lichtopbrengst en levensduur van LED's aanzienlijk verbeteren, waardoor de productiekosten tot op zekere hoogte worden verlaagd en de concurrentiepositie van het product wordt versterkt.
Belangrijkste toepassingsgebieden
1. LED-verlichting: PSS als substraatmateriaal voor LED-chips kan de lichtopbrengst en levensduur van LED's aanzienlijk verbeteren.
In de LED-verlichtingssector wordt PSS veelvuldig gebruikt in diverse verlichtingsproducten, zoals straatlantaarns, tafellampen, autoverlichting, enzovoort.
2. Halfgeleidercomponenten: Naast LED-verlichting kan PSS ook worden gebruikt voor de productie van andere halfgeleidercomponenten, zoals lichtdetectoren, lasers, enzovoort. Deze componenten hebben een breed scala aan toepassingen in de communicatie, medische sector, defensie en andere gebieden.
3. Opto-elektronische integratie: De optische eigenschappen en stabiliteit van PSS maken het tot een ideaal materiaal voor opto-elektronische integratie. Bij opto-elektronische integratie kan PSS worden gebruikt voor de vervaardiging van optische golfgeleiders, optische schakelaars en andere componenten voor de transmissie en verwerking van optische signalen.
Technische parameters
| Item | Substraat van saffier met patroon (2-6 inch) | ||
| Diameter | 50,8 ± 0,1 mm | 100,0 ± 0,2 mm | 150,0 ± 0,3 mm |
| Dikte | 430 ± 25 μm | 650 ± 25 μm | 1000 ± 25 μm |
| Oppervlakteoriëntatie | C-vlak (0001) afwijkhoek naar M-as (10-10) 0,2 ± 0,1° | ||
| C-vlak (0001) onder een hoek ten opzichte van de A-as (11-20) 0 ± 0,1° | |||
| Primaire vlakke oriëntatie | A-vlak (11-20) ± 1,0° | ||
| Primaire vlakke lengte | 16,0 ± 1,0 mm | 30,0 ± 1,0 mm | 47,5 ± 2,0 mm |
| R-vlak | 9 uur | ||
| Afwerking van het vooroppervlak | Patroon | ||
| Afwerking achterzijde | SSP: Fijngeslepen, Ra=0,8-1,2 µm; DSP: Epi-gepolijst, Ra<0,3 nm | ||
| Lasermarkering | Achterkant | ||
| TTV | ≤8 μm | ≤10 μm | ≤20 μm |
| BOOG | ≤10 μm | ≤15 μm | ≤25 μm |
| WARP | ≤12 μm | ≤20 μm | ≤30 μm |
| Randuitsluiting | ≤2 mm | ||
| Patroonspecificatie | Vormstructuur | Koepel, kegel, piramide | |
| Patroonhoogte | 1,6~1,8 μm | ||
| Patroondiameter | 2,75~2,85 μm | ||
| Patroonruimte | 0,1~0,3 μm | ||
XKH richt zich op de ontwikkeling, productie en verkoop van gestempelde saffiersubstraten (PSS) en streeft ernaar hoogwaardige PSS-producten met uitstekende prestaties te leveren aan klanten wereldwijd. XKH beschikt over geavanceerde productietechnologie en een professioneel technisch team, waarmee PSS-producten met verschillende specificaties en patroonstructuren kunnen worden aangepast aan de behoeften van de klant. Tegelijkertijd hecht XKH veel waarde aan product- en servicekwaliteit en zet zich in om klanten een volledig scala aan technische ondersteuning en oplossingen te bieden. Op het gebied van PSS heeft XKH een rijke ervaring en expertise opgebouwd en kijkt ernaar uit om samen met wereldwijde partners de innovatieve ontwikkeling van LED-verlichting, halfgeleidercomponenten en andere industrieën te bevorderen.
Gedetailleerd diagram
