12 inch Dia300x1.0mmt Saffier Wafer Substraat C-Plane SSP/DSP

Korte beschrijving:

Met de ontwikkeling van wetenschap en technologie zijn er nieuwe eisen gesteld aan de grootte en kwaliteit van saffierkristalmaterialen. Dankzij de snelle ontwikkeling van halfgeleiderverlichting en andere opkomende toepassingen breidt de markt voor goedkope, hoogwaardige en grote saffierkristallen zich dramatisch uit.

Stuur ons een e-mail

Functies

Marktsituatie voor 12-inch saffiersubstraat

Momenteel wordt saffier voor twee hoofddoeleinden gebruikt: als substraatmateriaal, voornamelijk voor LED-verlichting, en als materiaal voor wijzerplaten van horloges, in de luchtvaart, in de ruimtevaart en voor speciale productieprocessen van vensters.

Hoewel siliciumcarbide, silicium en galliumnitride naast saffier ook beschikbaar zijn als substraat voor leds, is massaproductie nog steeds niet mogelijk vanwege de kosten en enkele onopgeloste technische knelpunten. Saffiersubstraat is de afgelopen jaren sterk verbeterd en gepromoot dankzij de technische ontwikkeling, met name de roosteraanpassing, elektrische geleidbaarheid, mechanische eigenschappen, thermische geleidbaarheid en andere eigenschappen. Het kostenvoordeel is aanzienlijk. Saffier is uitgegroeid tot het meest volwassen en stabiele substraatmateriaal in de led-industrie en wordt veel gebruikt in de markt. Het marktaandeel bedraagt maar liefst 90%.

Kenmerken van 12 inch saffierwafersubstraat

1. Saffiersubstraatoppervlakken hebben een extreem laag deeltjesaantal, met minder dan 50 deeltjes van 0,3 micron of groter per 5 cm in het bereik van 5 tot 20 cm, en de belangrijkste metalen (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn) onder de 2E10/cm². Het 30 cm basismateriaal zal naar verwachting ook deze kwaliteit bereiken.
2. Kan worden gebruikt als dragerwafer voor het 12-inch halfgeleiderproductieproces (transportpallets in het apparaat) en als substraat voor bonding.
3. Kan de vorm van concave en convexe oppervlakken regelen.
Materiaal: Hoogzuiver enkelkristal Al2O3, saffierwafer.
LED-kwaliteit, geen bubbels, scheuren, dubbele vlekken, afstamming, geen kleur, enz.

12 inch saffierwafers

Oriëntatie	C-vlak<0001> +/- 1 deg.
Diameter	300,0 +/-0,25 mm
Dikte	1,0 +/-25um
Inkeping	Inkeping of plat
TTV	<50um
BOOG	<50um
Randen	Proactieve afschuining
Voorzijde – gepolijst 80/50
Lasermarkering	Geen
Verpakking	Enkele wafer-dragerdoos
Voorzijde Epi ready gepolijst (Ra <0,3nm)
Achterkant Epi ready gepolijst (Ra <0,3nm)